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三星投資40億美元 赴中國建晶片廠

新頭殼newtalk/新頭殼newtalk 2012.01.04 00:00
新頭殼newtalk 2012.01.04.徐千雅/綜合報導

韓國政府今(4)日批准三星電子於中國投資40億美元,設立快閃記憶體(NAND Flash)工廠,並要求三星必須保護重要技術不外流。三星為全球NAND晶片製造第一大廠,擁40%市占率。

根據BBC報導,美國高德納諮詢公司發佈數據指出,今年中國NAND快閃記憶體消耗量預計將達到290億美元,佔全球市場的一半。智慧型手機和平板電腦市場的迅速發展,刺激了對NAND晶片的需求。

三星將於今年上半年建廠,計劃明年下半年投入生產。新工廠地點尚未決定,預計每月生產量將達到10萬晶片。此為三星第2座海外晶片廠。

韓國政府要求企業在海外建廠時必須提交申請,以防止技術外流。韓國知識經濟部表示,三星將成立防範技術外流的委員會。

目前全球NAND晶片市場中,三星和東芝(Toshiba)全球市占率合計將近7成,其次為海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)等。

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