次世代DDR6記憶體啟動開發 速度將達DDR5近兩倍

儘管全球動態隨機存取記憶體（DRAM）市場仍面臨挑戰，記憶體製造巨頭三星（Samsung）、SK海力士（SK Hynix）以及美光（Micron）已著手啟動次世代DDR6記憶體的早期開發工作。《Notebookcheck》報導指出，這些主要製造商已要求基板供應商推進DDR6的研發，並提供了記憶體厚度、堆疊結構與線路等關鍵資訊。

DDR6記憶體預計將實現顯著的效能飛躍，傳輸速率最高可達每秒17.6 gigabits（Gbps），相較於目前DDR5記憶體最高9.6 Gbps的標準，幾乎快了一倍。這項技術進展，將為未來的電腦運算效能帶來潛在的巨大提升。

根據業界慣例，產品正式上市前約兩年會啟動聯合開發。DDR6模組預計最快將於2028年公開上市。屆時，預期目前的DRAM市場危機應已緩解，過去一年飆漲的記憶體價格也將回歸正常水平。這項早期開發顯示主要製造商正為未來市場需求預作準備。