聯電發表55奈米BCD平台　全面強化行動與車用電源管理效率

聯華電子今（10/22）日宣布推出全新55奈米BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）平台，鎖定行動裝置、消費性電子、車用與工業領域，實現更高的電源效率與整合度。此平台針對電子產品日益複雜的電源管理需求而設計，具備更小晶片面積、更低功耗與卓越抗雜訊表現，為電源電路設計提供更高的靈活度與可靠性，滿足市場對高效能、低能耗晶片的需求。

BCD技術能在單一晶片上整合類比、數位與電力元件，是電源管理與混合訊號IC設計的關鍵。聯電此次推出的55奈米BCD平台提供三種製程方案，分別針對不同應用領域打造最佳化解決方案。非磊晶（Non-EPI）製程提供高性價比選項，適用於行動與消費性電子產品；磊晶（EPI）製程符合AEC-Q100 Grade 0車規，可支援高達150伏操作電壓；而SOI（絕緣層上覆矽）製程則具備超低漏電與抗雜訊特性，符合Grade 1標準，特別適合高階車用與工業控制環境。

新平台同時整合超厚金屬層（UTM）、嵌入式快閃記憶體（eFlash）與電阻式隨機存取記憶體（RRAM）等關鍵技術，提升晶片效能與系統整合彈性。聯電技術研發副總經理徐世杰表示，55奈米BCD平台的推出代表公司在BCD技術領域的重要進展，不僅完善特殊製程產品線，也強化電源管理市場的競爭力。他指出，聯電的BCD方案將協助客戶打造創新電源解決方案，應用範圍涵蓋智慧型手機、穿戴式裝置、汽車電子、智慧家庭與智慧工廠等多元市場。

目前，聯電已建構業界最完整的BCD製程組合，從0.35微米至55奈米皆有布局，提供廣泛電壓支援、成熟IP資源與設計支援服務。公司強調，透過不斷優化製程節點與差異化解決方案，將持續協助客戶加速產品開發時程，搶攻智慧電源與混合訊號IC市場，推動全球電子產業的節能與永續發展。