台北訊，2024年12月27日 — 台灣專業碳化矽（SiC）長晶技術領導廠商格棋化合物半導體（以下簡稱格棋）宣布，公司以「低缺陷密度八吋碳化矽晶圓技術（Low Defect Density of 8-Inch Silicon Carbide Wafer Technology）」榮獲第21屆國家新創獎－企業新創獎之肯定，該項技術不僅能提高能源效率與減少碳排放，更能促進綠色技術的普及，對於推動地球永續有積極助益。格棋副總經理賴柏帆表示：「格棋核心團隊投入高品質碳化矽（SiC）長晶技術研發將近10年，此次獲獎是對格棋在創新技術和卓越品質方面的高度肯定，也證明我們致力推動綠色科技和永續發展正走在對的道路上。」
格棋以「低缺陷密度八吋碳化矽晶圓技術」展現新創價值與市場競爭力
2050淨零碳排已是全球共識，碳化矽（SiC）在提升能源效率、推動可再生能源發展、加速電動車普及、延長設備壽命及減少資源浪費等方面具有顯著優勢。這些特性使其在實現ESG目標中扮演關鍵角色，特別是在應對氣候變遷、推動綠色能源過渡以及促進社會可持續性方面，碳化矽（SiC）材料都將成為關鍵技術。
由於碳化矽（SiC）晶圓的生產涉及高溫條件和複雜製程工藝，致使良品率較低且低缺陷密度產率低；然而，格棋憑藉將近10年的高品質碳化矽（SiC）長晶技術研發投入，透過熱場參數控制、原材料物性控管、籽晶沾黏技術、模組設計與組裝等四大優勢，有效控制大尺寸碳化矽晶圓的致命缺陷，展現商用大尺寸晶圓的製造能力，尤其在4H單晶碳化矽的領域中，晶圓性能接近甚至超越8吋碳化矽長晶技術性能的水準。此外，格棋更在BPD（基底面差排）、TED（刃型差排）、TSD（螺旋差排）、EPD（蝕刻坑密度）四項密度測試中，展現媲美一線大廠的低缺陷密度產品品質，再次證明格棋擁有國際級的競爭實力。
格棋提供虛擬IDM和多樣性產品服務，以滿足市場日益增長的多元需求
格棋致力於晶體生長和晶圓的技術開發和製造，不斷追求更精細的製造流程和品質優化，以嚴格的原材料物性控管，降低材料雜質並穩定長晶過程；精確的籽晶沾黏技術，控制籽晶的定位，促進晶體均勻生長；先進的熱場參數控制技術，防止晶體熱裂和結晶缺陷的產生；精密的模組設計與組裝，避免晶體污染和模組變形。憑藉四項核心技術優勢，格棋有效降低晶體的線缺陷、面缺陷以及體缺陷，進一步提升功率元件的效率、可靠性、穩定性及使用壽命。
為滿足市場日益增長的多元需求，格棋提供彈性化的產品組合，包括碳化矽晶體（SiC Ingot）、碳化矽晶圓（SiC Wafer）、碳化矽籽晶（SiC Seed）和碳化矽磊晶晶圓（SiC EPI Wafer），並透過虛擬IDM模式，整合上下游價值鏈，依照客戶屬性，整合包含加工、磊晶、設計、製造、元件等廠商，簡化服務窗口與供應鏈服務客戶。展望未來，格棋將持續推進技術創新，期盼帶動化合物半導體產業的長遠發展。