(中央社訊息服務20240604 10:30:37)為電動汽車、電動工具、筆記型電腦和手機應用開發功率密度超過30 W/in3的140-240 W USB-PD適配器 英國劍橋訊--(美國商業資訊)-- Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠潔淨技術半導體公司，致力於開發多種節能的氮化鎵（GaN）器件，以實現更環保的電子元件。CGD與工業技術研究院（ITRI）簽署了合作備忘錄，以鞏固雙方在開發高性能氮化鎵USB-PD適配器的合作夥伴關係，並共享國內外市場資訊及對潛在客戶的聯合訪問和推廣。 本新聞稿包含多媒體資訊。完整新聞稿請見此： https://www.businesswire.com/news/home/20240603419376/zh-HK/ ANDREA BRICCONI | CGD首席商務總監 「我們很高興能與ITRI合作， ITRI擁有一個經驗豐富的研發團隊，在開發電源解決方案方面具備深厚經驗並擁有多項專利。我們將在6月於紐倫堡舉行的PCIM展覽上的展示ITRI的一些電路板設計。這些產品利用CGD獨特的IC晶片架構和ITRI的專利設計，以實現產品尺寸縮小、高效率、高功率密度及成本競爭力。」 WEN-TIEN TSAI | GEL/ITRI商用電源設計團隊負責人 「CGD的IC增强型氮化鎵—ICeGaN ™ 此系列產品是一個新穎的平台。它提高了易用性，導入了智能溫度控制，並增強閘極的可靠性。我們很高興將這些優勢納入我們新的電源設計中。」 根據業界領先的寬能隙半導體（WBG）分析機構Yole Group的報告指出，GaN市場預計將超過10億美元，主要增長領域在通信電源、汽車DC/DC轉換器和車載充電器的應用方面。 CGD和ITRI將合作設計一個採用GaN器件的商業化產品是USB-PD適配器，為電動汽車、電動工具、筆記型電腦和手機應用開發功率密度超過30 W/in3的140-240 W範圍的電源解決方案。 關於 Cambridge GaN Devices 英商劍橋氮化鎵器件有限公司（Cambridge GaN Devices，簡稱CGD）專注於 GaN 電晶體和 IC 的設計、開發及商業化，致力於推動能源效率和提高功率密度層面的根本變革。我們的使命是提供各種簡便節能的 GaN 解決方案，以便將創新成果帶入日常生活。CGD的ICeGaN™ 技術已被證實適合大規模生產，公司正在快速擴展，製造商和代理商的合作夥伴關係也陸續到位。CGD 是從劍橋大學分立出來的無晶圓廠半導體公司， 創辦人兼執行長 Giorgia Longobardi 博士及技術長 Florin Udrea 教授等公司創辦人仍與劍橋大學享有盛譽的高電壓微電子及感測器小組 (HVMS) 維持密切合作。在 CGD 專注推動創新的努力下，ICeGaN HEMT 技術取得一系列強大且持續擴展的 IP 組合，享有堅實可靠的智慧財產保障。CGD 團隊所擁有的技術和商業專業知識，加上在電力電子市場受到的肯定與良好記錄，是公司專有技術在市場上獲得認可的基礎。 關於 工業技術研究院 (ITRI)，綠能與環境研究實驗所(GEL) ITRI是一間世界領先的應用技術研究機構，擁有超過六千名優秀的研發人員，以科技研發，帶動產業發展，創造經濟價值，提升社會福祉為任務。自1973年成立以來，ITRI在IC開發方面取得了先驅性成就，並孕育新興科技產業。聚焦智慧生活、健康樂活、永續環境與強韌社會四大應用領域的研發方向，並發展「智慧化致能技術」以促成應用領域 GEL是ITRI核心實驗室之一，致力於提高能源效率、電力系統、低碳環境以及環境和能源政策領域的永續環境科技。 在能源效率方面，GEL已建立了固態照明、高效空調、智慧/綠色建築、能源管理和控制系統、智慧電網等的卓越能力，以培養具有高增長潜力的能源和環境領域的綠色技術和人才。
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