(中央社訊息服務20240118 16:32:52)新推出的氮化鎵場效應電晶體可作為原始設計選項或碳化矽（SiC）替代器件 加利福尼亞州戈萊塔--(美國商業資訊)--全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）今日宣佈推出兩款採用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN® 器件。新發佈的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導通電阻，並配有一個開爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實現更全面的開關功能。新產品將採用Transphorm成熟的矽襯底氮化鎵制程，該製造工藝不僅可靠性高，而且具有良好的成本效益，非常適合現有矽基生產線量產。目前，50 毫歐 TP65H050G4YS FET 已可供貨，35 毫歐 TP65H035G4YS FET 正在出樣，預計將於 2024 年一季度供貨上市。 一千瓦及以上功率級的資料中心、可再生能源和各種工業應用的電源中，Transphorm 的 4 引腳 SuperGaN器件可作為原始設計選項，也可直接替代現有方案中的4 引腳矽基和 SiC器件。4引腳配置能夠進一步提升開關性能，從而為使用者提供靈活性。在硬開關同步升壓型轉換器中，與導通電阻相當的 SiC MOSFET相比，35 毫歐 SuperGaN 4 引腳 FET 器件在 50 千赫茲（kHz）下，損耗減少了 15%，而在 100 kHz 下的損耗則降低了 27%。 Transphorm 的 SuperGaN FET 器件所具有的獨特優勢包括： • 業界領先的穩健性：+/- 20V 柵極閾值和 4 V 抗擾性。 • 更優的可設計性：減少器件周邊所需電路。 • 更易於驅動：SuperGaN FET 能使用矽器件所常用的市售驅動器。 新發佈的TO-247-4L 封裝器件具有相同的穩健性、易設計性和易驅動性，其核心技術規格如下： 器件型號 Vds (V) 最小值 Rds(on)(mΩ) 型 Vth (V) 型 Id (25°C) (A) 最大值 封裝 TP65H035G4YS 650 35 3.6 46.5 配有源極端子 TP65H050G4YS 650 50 4 35 配有源極端子 Transphorm 業務發展及市場行銷高級副總裁 Philip Zuk 表示：“Transphorm 將繼續拓展產品線，向市場推出多樣化的氮化鎵場效應電晶體（GaN FET）。無論客戶有什麼樣的設計需求，Transphorm都能夠説明客戶充分利用SuperGaN平臺的性能優勢。四引腳 TO-247 封裝的SuperGaN為設計人員和客戶帶來提供極佳的靈活性——只需在矽或碳化矽器件的系統上做極少的設計修改（或者根本不需要進行任何設計修改），就能實現更低的電源系統損耗。Transphorm正在加速進入更高功率的應用領域，新推出的這兩款器件是公司產品線的一個重要補充。” 供貨情況 如需索取 35 毫歐和 50 毫歐 TO-247-4L FET 器件樣品，請聯繫 Transphorm 銷售團隊：[email protected]。點擊以下連結，查閱每款器件的產品資料： • TP65H035G4YS 產品資料表：https://www.transphormusa.com/en/document/data-sheet-tp65h035g4ys/ • TP65H050G4YS 產品資料表：https://www.transphormusa.com/en/document/data-sheet-tp65h050g4ys/ 關於Transphorm Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1,000多項，在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體器件。得益於垂直整合的業務模式，公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、製造、器件和應用支援。Transphorm的創新使電力電子設備突破矽的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高50%以及將系統成本降低20%。Transphorm的總部位於加州戈利塔，並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。 請訪問官網www.transphormusa.cn瞭解更多資訊，歡迎關注Twitter @transphormusa及微信公眾號：TransphormGaN氮化鎵 SuperGaN是Transphorm, Inc.的注冊商標，所有其他商標均為其各自所有者的財產。
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