(中央社訊息服務20230907 10:11:22)穩健型氮化鎵功率半導體領導者描繪了其常閉型D模式平臺設計如何利用氮化鎵的天然優勢，而競爭對手的E模式設計必須在效能上做出妥協 加州戈利塔--(美國商業資訊)--穩健型氮化鎵功率半導體領域的全球領先企業Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布發佈最新白皮書《級聯組態中D模式氮化鎵的基本優勢》(The Fundamental Advantages of D-Mode GaN in Cascode Configuration)。該白皮書簡要介紹了級聯（常閉）d模式氮化鎵平臺的固有優勢。重要的是，該白皮書繼續闡述了e模式平臺如何因其物理特性，最終需要削弱一些固有的效能優勢才能提供常閉型解決方案。這份白皮書可在此處下載：https://bit.ly/wpdmodeganch。 白皮書要點 白皮書展示了常閉型d模式氮化鎵平臺促成的幾項關鍵優勢，包括： 1. 獲致更高性能：卓越的電阻溫度係數(TCR)（約25%）和更低的動態與靜態導通電阻比（約25%），從而獲致更低損耗/更高效率和更好的品質因數(FOM)。 2. 易於在更高功率水準下執行：Transphorm d模式具有更高的飽和電流，而e模式必須並聯才能達到相同的安培數（導致功率密度和可靠性降低）。 3. 穩健且易於驅動：使用矽MOSFET SiO2閘極介面的最穩健的閘極，不受e模式p閘極的限制，與矽基驅動器和控制器相容。 Transphorm業務開發與行銷資深副總裁Philip Zuk表示：「在寬帶隙(bandgap)產業，關於哪種解決方案更好的爭論由來已久。是常閉型d模式還是e模式氮化鎵？我們在首次進入市場時對兩種方案都進行了探討，最終選擇了常閉型d模式解決方案，因為它是最可靠的方案，具有最高的效能和廣泛的驅動器相容性。它還提供了一個全面的長期路線圖，支援一系列的系統設計能力，這是我們在e模式中尚未反復看到的。白皮書旨在清楚地解釋我們為什麼要這樣設計氮化鎵，以協助客戶更好地瞭解選擇氮化鎵元件時的考量因素。」 十多年來，Transphorm憑藉最可靠的氮化鎵平臺成功引領了產業的發展，目前該平臺的現場執行時間已超過2000億小時，支援從低功率到高功率系統的最廣泛應用。公司已率先通過JEDEC認證和AEC-Q101（汽車）認證，率先發佈900 V平臺，且目前正在為800 V 電動汽車電池應用開發已演示過的1200 V平臺。 Transphorm演示了一種四象限開關，有助於在微型逆變器和雙向系統等目標設計中減少兩到四個元件的部件數量。此外，該公司還展示了5微秒的短路耐受時間(SCCL)，為電機控制和電動汽車動力總成應用開闢了價值數十億美元的市場。 憑藉全面的產品平臺，公司的客戶產品實現了從幾十瓦到7.5千瓦的設計和量產，應用領域包括計算（資料中心和網路電源、高性能遊戲、區塊鏈、人工智慧計算）、能源/工業（關鍵任務型不斷電供應系統和微型逆變器）以及消費配接器/快速充電器（筆記型電腦、手機、家用電器）。公司將這一切歸功於最初為客戶提供的常閉型d模式設計選擇。 白皮書簡介 總體而言，白皮書論述了氮化鎵在物理學方面的天然優勢，以及常閉型d模式氮化鎵解決方案如何最大限度地發揮這些固有優勢，創造出具有更高可靠性、可設計性、可驅動性、可製造性和多功能性的卓越平臺。 具體而言，白皮書探討了二維電子氣體通道(2DEG)的作用，這是一種在氮化鎵HEMT疊層中自發形成的自然現象。由於所有氮化鎵平臺（包括e模式）的核心都是常閉型d模式平臺，白皮書將繼續探討2DEG和整個平臺的效能會受何種影響。這取決於是選擇基於d模式還是e模式的方法來關閉平臺。 最後，白皮書還將探討了對常閉型d模式和e模式裝置效能的一些誤解。 獲取白皮書 白皮書可在此處免費下載：www.transphormchina.com/document/wp-dmode-gan-advantages。 關於 Transphorm Transphorm, Inc.是氮化鎵變革領域的的全球領導者，為高壓功率轉換應用設計和製造高性能和高可靠性的氮化鎵半導體。Transphorm擁有1000多項自有或授權專利，是功率氮化鎵知識產權組合最多的公司之一，並生產業界首批通過JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體器件。該公司的垂直整合装置業務模式支持在每個開發階段進行創新：設計、製造、設備和應用支持。Transphorm的創新使電力電子器件突破了矽的限制，實現了超過99%的效率、使功率密度提高50%，系統成本降低20%。Transphorm總部位於加州戈利塔，並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如欲了解更多資訊，請造訪http://www.transphormchina.com。在Twitter (@transphormusa)和微信(@Transphorm_GaN)上關注我們。
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