▲工研院研發「全球散熱能力最強的相變化水冷技術」，可達全球最高千瓦散熱水準，超越目前散熱技術一倍以上，已與一詮精密合作生產，交貨給數家國際AI晶片大廠驗證中。（圖／工研院提供）
【大成報記者羅林/新竹報導】
經濟部今（9/6）日於全臺最大半導體盛宴「2023 SEMICON TAIWAN」科專成果主題館開幕儀式中，宣布已成功開發出全球首創之複合式原子層鍍膜（Hybrid Atomic Layer Deposition, Hy-ALD）設備，專攻二奈米以下半導體鍍膜製程，並剛斬獲2023 R&D 100大獎，此次首度對外展出機台，未來將與旭宇騰精密科技合作生產，預期將可打入半導體製造龍頭廠商，獲得業界高度關注。
▲工研院成功開發出全球首創之複合式原子層鍍膜設備，專攻二奈米以下半導體鍍膜製程，並獲得2023 R&D 100大獎，未來將與旭宇騰精密科技合作生產，打入半導體製造龍頭廠商。圖中貴賓由左至右為：旭宇騰精密科技董事長王春暉、經濟部技術處處長邱求慧、總統府資政暨臺灣金控董事長沈榮津、工研院副院長胡竹生、工研院機械所副所長楊秉祥。（圖／工研院提供）
除此之外，經濟部亦發表數項全球領先技術，包括「全球散熱能力最強的相變化水冷技術」，可達全球最高千瓦散熱水準，超越目前散熱技術一倍以上，符合未來AI與資料中心建置需求，該技術已與一詮精密合作生產產品，並已經交貨給數家國際AI晶片大廠驗證中。
經濟部技術處處長邱求慧表示，世界半導體貿易統計協會（World Semiconductor Trade Statistics; WSTS）預估，全球半導體預估將於2030年破兆美元，臺灣半導體產業位居於國際重要地位，去年半導體的產值年成長超過18%，突破新台幣5兆元，位居全球第二，反映臺灣在全球科技和製造領域卓越實力！
▲工研院發展高階異質整合技術，從IC設計、晶圓製作、先進封裝到測試的一站式服務能量，開發Chiplet應用之關鍵矽智財( IP )，並與國內知名大廠力積電合作。（圖／工研院提供）
臺灣在晶圓製造和封測領域擁有堅強實力，其中消費性電子產業占比甚高，為確保台臺灣半導體產業優勢，經濟部技術處透過法人研發及補助業者，發展AI晶片及前瞻記憶體、化合物半導體製程材料設備等自主技術、以及推動法人建置先進製程及異質整合試量產線，自2019至2023年已投入超過250億元，加速國內業者創新產品落地，未來將持續協助產業在先進製程、小晶片、異質整合、化合物半導體、綠能技術等領域，開拓創新技術與國際市場。
總統府沈榮津資政指出，半導體產業在政府推動「五加二產業」與「六大核心戰略產業」過程中扮演相當關鍵的角色，蔡總統上任後致力將臺灣打造成「半導體先進製程中心」，此目標需要業者跟政府一起通力合作，讓臺灣繼續做全球半導體業界領頭羊。今日欣見工研院及半導體設備專業廠商旭宇騰精密科技共同合作研發出全球首創「二奈米製程鍍膜設備」，此技術不但將打入半導體前段設備的供應鏈，也能協助臺灣產業往「設備國產自製」的目標前進一大步。
▲工研院超高速先進封裝精密線路檢測模組兼具高精度與高速運算特點，讓檢測無死角，可應用於5G晶片、電動車、高效處理器之先進封裝產品。（圖／工研院提供）
旭宇騰精密科技董事長王春暉表示，非常榮幸與工研院合作全球首創的自製的兩奈米設備，這項設備在未來有非常多的應用，在半導體往更小奈米的製程，相信可以達成許多目標。期許能未來推動國內半導體設備自製的自主化，以及機器設備能更往國際推廣。
一詮精密董事長周萬順表示，一詮這幾年在半導體更小奈米製程的散熱需求提前部署，「千瓦級散熱方案」是工研院協同一詮的團隊開發真空的蒸汽腔體，直接貼合在晶片上散熱，難度非常高，也是全球首創，將成為未來先進封裝製程的最佳解決方案。
▲工研院高準確性二合一的「Micro LED顯示模組快速檢測技術」，突破傳統100度光源角度檢測，擴大至120度，相較於傳統設備提升50%量測效率。（圖／工研院提供）
今年「科技專案成果主題館」囊括工研院六個單位共計52項前瞻創新技術，其中尚有多項獨步全球之科技，例如與力積電合作的「高階異質整合技術」，其晶片間的傳輸速度超越國際大廠，為延續摩爾定律的關鍵途徑；「SiC晶錠雷射切割製程系統」，已與漢民科技合作4吋SiC晶錠切裂驗證，2023年底6吋晶錠切裂產速可達傳統線切之五倍、晶錠料損降低七成，提升50%產能；高準確性二合一的「Micro LED顯示模組快速檢測技術」突破傳統100度光源角度檢測至120度，相較於傳統設備提升50%量測效率並可客製化檢測；最後，專攻後端製程量測領域的「超高速先進封裝精密線路檢測模組」，可應用於5G晶片、電動車、高效處理器之3D封裝產品，高速還原工件影像以滿足全檢需求，助攻臺灣持續領航國際。