(中央社訊息服務20230714 09:31:15)日本川崎--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)已推出「TRSxxx65H系列」。這是該公司針對工業設備推出的第三代、也是最新一代[1]碳化矽(SiC)蕭特基障壁二極體(SBD)。首批12款650V產品已於即日起開始大量出貨，其中7種產品採用TO-220-2L封裝，5種產品採用DFN8×8封裝。
本新聞稿包含多媒體資訊。完整新聞稿請見此： https://www.businesswire.com/news/home/20230712598037/zh-HK/ 第三代SiC SBD晶片新品採用新金屬，可促使第二代產品的接面位障蕭特基(JBS)結構最佳化[2]。它們實現了業界領先的[3] 1.2V（典型值）低正向電壓，比前一代的1.45V（典型值）低17%。它們還改善了正向電壓和總電容電荷之間以及正向電壓和逆向電流之間的平衡關係，從而減少了功耗並提高了設備的效率。 注釋： [1] 截至2023年7月。 [2] JBS結構降低了蕭特基介面的電場強度並減少漏電流。 [3] 截至2023年7月，Toshiba調查。 應用 • 切換電源 • 電動車充電站 • 太陽能逆變器 特性 • 業界領先的[3] 正向電壓：VF＝1.2V（典型值）(IF=IF(DC)) • 低逆向電流： TRS6E65H IR＝1.1μA（典型值）(VR=650V) • 低總電容電荷： TRS6E65H QC＝17nC（典型值）(VR=400V, f=1MHz) 主要規格 （除非另有說明，Ta=25°C） 產品 型號 封裝 絕對最大額定值 電氣特性 樣品 查詢與 供貨情況 重複性 峰值 逆向 電壓 VRRM (V) 正向 直流 電流 IF(DC) (A) 非重複性 峰值正向 浪湧電流 IFSM (A) 正向 電壓 （脈衝 測量） VF (V) 逆向 電流 （脈衝 測量） IR (μA) 總 電容 Ct (pF) 總 電容 電荷 QC (nC) 溫度條件 Tc (°C) f=50Hz （半正弦 波， t=10ms）， Tc=25°C 方 波， t=10μs, Tc=25°C IF=IF(DC) VR=650V VR=400V, f=1MHz 典型值 典型值 典型值 典型值 TRS2E65H TO-220-2L 650 2 164 19 120 1.2 0.2 10 6.5 線上購買
TRS3E65H 3 161 28 170 0.4 14 9 線上購買
TRS4E65H 4 158 36 230 0.6 17 12 線上購買
TRS6E65H 6 153 41 310 1.1 24 17 線上購買
TRS8E65H 8 149 56 410 1.5 31 22 線上購買
TRS10E65H 10 148 62 510 2.0 38 27 線上購買
TRS12E65H 12 148 74 640 2.4 46 33 線上購買
TRS4V65H DFN8×8 4 155 28 230 0.6 17 12 線上購買
TRS6V65H 6 151 41 310 1.1 24 17 線上購買
TRS8V65H 8 148 45 410 1.5 31 22 線上購買
TRS10V65H 10 145 54 510 2.0 38 27 線上購買
TRS12V65H 12 142 60 640 2.4 46 33 線上購買
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