- 新材料和系統使晶片製造商能夠為產業中最先進的互連技術 —— 混合鍵合（hybrid bonding），提高其效能和可靠性
- 新的沉積系統可提升運用矽穿孔技術所堆疊晶片的密度、效能、品質和成本
應用材料公司推出材料、技術和系統，幫助晶片製造商運用混合鍵合（hybrid bonding）及矽穿孔（TSV） 技術將小晶片整合至先進2.5D和3D封裝中。這些新的解決方案，擴大了應材在異質整合（heterogeneous integration, HI）領域領先業界的技術範疇。
異質整合幫助半導體業者將各種功能、技術節點和尺寸的小晶片結合到先進封裝中，使組合後的整體能作為單一產品的形式來運作。異質整合有助於解決產業所面臨的挑戰，這些挑戰部分起因於高效能運算和人工智慧等應用對電晶體的需求以指數級速度成長，而傳統的2D微縮速度趨緩且變得更加昂貴。異質整合技術是全新攻略的核心要件，使晶片製造商能以新的方式改善晶片的功率、效能、單位面積成本與上市時間（PPACt）。
應材是異質整合技術最大供應商，提供經過優化的晶片製造系統，包括蝕刻（ETCH）、物理氣相沉積（PVD）、化學氣相沉積（CVD）、電鍍（ECD）、化學機械研磨（CMP）、退火與表面處理。
應用材料公司半導體產品事業群副總裁暨HI、ICAPS（物聯網、通訊、汽車、電源和感測器）和磊晶技術部門總經理桑德‧瑞馬摩西（Sundar Ramamurthy）博士表示：「異質整合技術正快速發展，起因於傳統2D微縮已不能同時改進效能、功率和成本，而異質整合則能協助晶片和系統公司突破此一限制。我們最新的異質整合解決方案推進了這些產業的最新技術，可以在2.5D和3D結構中配置封裝更多的電晶體和導線，以提高系統效能，降低功耗，最小化尺寸並加快上市時間。」
強化並優化混合鍵合技術
利用晶片對晶圓和晶圓對晶圓的混合鍵合技術，可通過直接銅對銅鍵合來連接晶片，使組合後的元件能夠作為一體運作。混合鍵合是當今晶片製造業最先進的異質整合技術，透過在更小的空間內堆疊更多導線，縮短訊號傳輸的距離，進而提高生產率（throughput）和功率。
推出的新方案包括：
異質整合幫助半導體業者將各種功能、技術節點和尺寸的小晶片結合到先進封裝中，使組合後的整體能作為單一產品的形式來運作。異質整合有助於解決產業所面臨的挑戰，這些挑戰部分起因於高效能運算和人工智慧等應用對電晶體的需求以指數級速度成長，而傳統的2D微縮速度趨緩且變得更加昂貴。異質整合技術是全新攻略的核心要件，使晶片製造商能以新的方式改善晶片的功率、效能、單位面積成本與上市時間（PPACt）。
應材是異質整合技術最大供應商，提供經過優化的晶片製造系統，包括蝕刻（ETCH）、物理氣相沉積（PVD）、化學氣相沉積（CVD）、電鍍（ECD）、化學機械研磨（CMP）、退火與表面處理。
應用材料公司半導體產品事業群副總裁暨HI、ICAPS（物聯網、通訊、汽車、電源和感測器）和磊晶技術部門總經理桑德‧瑞馬摩西（Sundar Ramamurthy）博士表示：「異質整合技術正快速發展，起因於傳統2D微縮已不能同時改進效能、功率和成本，而異質整合則能協助晶片和系統公司突破此一限制。我們最新的異質整合解決方案推進了這些產業的最新技術，可以在2.5D和3D結構中配置封裝更多的電晶體和導線，以提高系統效能，降低功耗，最小化尺寸並加快上市時間。」
強化並優化混合鍵合技術
利用晶片對晶圓和晶圓對晶圓的混合鍵合技術，可通過直接銅對銅鍵合來連接晶片，使組合後的元件能夠作為一體運作。混合鍵合是當今晶片製造業最先進的異質整合技術，透過在更小的空間內堆疊更多導線，縮短訊號傳輸的距離，進而提高生產率（throughput）和功率。
推出的新方案包括：
- Insepra™ SiCN 沉積系統擴展了應材領先業界的混合鍵合產品組合。該系統使用一種新的矽碳氮 （SiCN） 材料，提供產業中最高的介電鍵合強度，並具有優異的銅擴散阻障性。更強的介電鍵合提供了設計人員所需的結構穩定性，能夠在給定區域內整合更多銅對銅互連，從而降低功耗並提高元件效能。
- Catalyst™ CMP 解決方案幫助客戶控制「表面凹陷」（dishing）量，亦即在後續高溫退火作業步驟中將鍵合的兩個表面上的銅材料預留凹陷。過多的CMP凹陷在銅墊片的頂部表面造成不必要的金屬損失，進而產生空氣間隙並降低銅對銅鍵合的真確度（fidelity）和強度。應材的Catalyst解決方案屬於動態溫度控制技術，可以控制表面凹陷、提高生產率。
開創矽穿孔技術的新境界
已在大規模量產中使用超過十年的矽穿孔（TSV）技術，是用於精確連接堆疊晶片的垂直導線。它們透過在矽晶片中蝕刻溝槽，然後填充絕緣襯墊和金屬導線來完成 TSV。隨著設計人員繼續將更多的邏輯、記憶體和特殊功能晶片整合到先進的2.5D和3D封裝中，每個封裝中的TSV互連導線數量已從幾百個擴展到數千個。為整合更多的互連導線並容納更高的晶片堆疊，設計人員需將矽穿孔變得更窄、更高，造成沉積均勻性改變，因而降低了效能，也增加了電阻和功耗。
應材推出的介電質和金屬沉積新技術，提供更高的矽穿孔深寬比，協助晶片製造商實現整合、效能和功率的目標：
應材推出的介電質和金屬沉積新技術，提供更高的矽穿孔深寬比，協助晶片製造商實現整合、效能和功率的目標：
- Producer® InVia® 2 CVD系統是新的化學氣相沉積（CVD）製程，在不斷增加的各種TSV應用，它為需要極端深寬比的邏輯和記憶體客戶，提供介電襯墊均勻性和電氣特性穩定性 （robust）。InVia 2系統使用專有的原處（in-situ）沉積製程，為高深寬比的TSV提供了優異的一致性。該系統的生產率也高於原子層沉積（ALD）技術，因此降低了TSV的每片晶圓的成本，並且進一步促進擴展其導入。
- Endura® Ventura® 2 PVD物理氣相沉積系統提供高達20：1的深寬比，使其廣獲採用的前代方案能延伸到TSV應用中。Ventura 2系統提高對金屬TSV導線沉積的控制並確保能完全填充，以實現高電氣性能和可靠性。新的TSV PVD製程已經與Producer® InVia® 2 CVD製程完成協同最佳化，為客戶提供了解決最具挑戰性TSV設計的成熟解決方案。Ventura 2系統已獲所有先進的晶圓代工/邏輯晶片製造商和所有主要DRAM生產商所採用。
- 應材最新一代的Producer® Avila® PECVD電漿輔助化學氣相沉積系統，是針對TSV的導孔「露出」（reveal）製程應用而設計的。在TSV的製程中，晶圓與暫時的玻璃或晶矽載體暫時性鍵合，然後透過CMP和蝕刻進行薄化，直至觸及TSV。完成TSV露出步驟之後，運用等離子增強的（plasma-enhanced）CVD技術沉積一個薄的介電層，藉此將TSV之間以電氣相互隔離。如果PECVD製程產生的熱量超過約200°C，脆弱的暫時性鍵合黏著層可能會受損，導致成本高昂的晶圓良率損失。應材的Producer Avila PECVD系統，能以超低溫、高速產生高品質的介電薄膜，滿足TSV品質和成本所要求的低熱量積存（thermal budgets）和高生產力要求。
前瞻性陳述
本新聞稿內含前瞻性陳述，包括我們新產品和新技術的預期效益、對我們業務與市場所預期的成長及趨勢、產業展望與需求驅動力、技術轉換，以及其他非歷史實績的陳述。這些陳述及其基本假設有其風險和不確定性，也不保證未來的績效。可能導致實際結果與這些陳述所表達或暗示的結果有實質性差異的因素包括，但不限於下列內容：未能實現我們新產品和新技術預期效益；對半導體的需求；客戶的技術和產能要求；新技術和創新技術的引進，以及技術轉換的時機；市場對現有及新開發產品的接受度；我們獲得和保護關鍵技術的智慧財產權的能力；我們保證遵循適用之環境與其他法律、規則和規定的能力；以及我們在美國「證券交易委員會」報告中提及的其他各種風險和不確定因素，包括截至最新的10-Q及8-K表。所有前瞻性陳述都是基於管理層目前的估計、預測和假設，本公司並無義務更新本新聞稿中所提之前瞻性資料。
應用材料公司（那斯達克代號: AMAT）是提供材料工程解決方案的領導者，我們的設備用來製造幾近世界上每顆新式晶片與先進顯示器。我們以工業規模在原子層級進行材料改質的專業，協助客戶將可能轉化成真。在應用材料公司，我們以創新驅動科技，成就未來。欲瞭解更多訊息，請至www.appliedmaterials.com。