致力於先進半導體製造的隨機性（stochastics）微影誤差量測與控制解決方案領導業者Fractilia，今天宣布推出Fractilia堆疊量測方案（Fractilia Overlay Package），能夠為Fractilia的MetroLER™與FAME™增加重要的全新堆疊量測與分析功能。Fractilia產品結合獨家專利的反向線掃瞄模型技術（FILM™）與真正的計算量測，是唯一經過驗證的晶圓製造廠解決方案，可以對所有主要隨機效應提供高精準度的量測，而這也是先進製程上最大且單一的微影圖形（patterning）錯誤來源。Fractilia目前正與多家業界領先晶片製造商合作，使用全新的Fractilia堆疊量測方案為掃描式電子顯微鏡（SEM）的疊對影像數據進行分析。
在半導體製造過程中，微影堆疊指的是相對於之前的圖案層，精確地放置每一個圖案層，以確保裝置功能正常。晶片製造商傳統上使用光學計量工具以量測並控制圖案的堆疊，而它對於生產出高良率與高效能的半導體裝置來說是不可或缺的。這些測量是在切割道中的特殊目標上進行，而非在裝置本身。隨著晶片本身的形態尺寸持續縮小，隨機變異性在採用EUV製程後也會跟著上升，故切割道中的測量數值與裝置實際的情況間的偏差亦會越來越大。因此，業界逐漸趨於使用SEM測量堆疊取代光學計量，來獲得更高的解析度與精準度；與此同時，SEM也會把雜訊帶入影像，而這些雜訊很容易與晶圓上的隨機變異產生混淆。
Fractilia技術長Chris Mack表示：「業界越來越常使用SEM測量堆疊，以提升對先進製程的圖形管控，但SEM的隨機性與系統性錯誤依然會干擾他們對於隨機性變異的量測。」他指出：「透過我們成熟的FILM™技術，Fractilia在測量與去除SEM雜訊方面可說是無懈可擊；因此，我們的客戶正轉向應用Fractilia技術以提升他們在SEM堆疊測量值的準確度。此外，我們相信透過Fractilia堆疊測量方案結合SEM隨機性誤差測量與光學堆疊測量，不僅可以提升SEM堆疊計量的準確度，還能提供更好的批量處理與可校正性，並在提升圖案管控的同時，也能降低非零偏移（NZO）或其變異性。」
「去除雜訊」的量測值能為更精確呈現晶圓製造的實際情況
Fractilia的FAME解決方案使用獨特、符合物理定律的SEM演算模型與資料分析方法，可從SEM影像進行量測並同時修正量測機台的隨機與系統性雜訊，提供晶圓微影圖形（on-wafer）實際的量測值，而非含有雜訊的影像（on-image）圖案量測值。FAME平台可同時量測所有主要隨機效應，包括線邊粗糙度（LER）、線寬粗糙度（LWR）、局部線寬均勻度（LCDU）、局部邊緣圖形置放誤差（LEPE）、隨機缺陷偵測以及提供臨界尺寸（CD）量測。FAME平台提供業界最佳訊噪比的邊緣偏移檢測，訊噪比相較於其它解決方案高出5倍，且每張SEM影像可以擷取出超過30倍的特徵資料。
借助全新的Fractilia堆疊量測方案，在現有的測量技術基礎上提供了SEM堆疊量測的高準確性，包括測量其隨機性。Fractilia的產品已經獲得業界數十家企業的採用，包括領先的半導體製造商、設備公司、材料供應商以及研究機構。
更多相關資訊
敬請至Fractilia官方網站：https://www.fractilia.com/manufacturing/，瀏覽更多Fractilia 堆疊量測方案的相關資訊。亦可前往Fractilia Academy網站：https://www.fractilia.com/public-academy/，取得更多關於Fractilia隨機性誤差量測與控制解決方案的技術概述，以及近期的會議與技術文件。
關於Fractilia
Fractilia是先進半導體製造中隨機性（stochastic）誤差量測與控制解決方案的領導業者，Fractilia應用Fractilia反向線掃描模型（Fractilia Inverse Linescan Model；FILM™）的專利技術，提供高精準度的隨機性誤差量測。隨機性誤差是先進製程上最大的微影圖案（patterning）錯誤來源，客戶可以透過FAME™提升元件的良率、效能，以及先進曝光機、蝕刻機的生產力。Fractilia的產品為整個半導體製造產業提供微影及蝕刻製程最佳化的解決方案，且已經被前五大晶片製造商中的四家業者所採用。Fractilia的解決方案包括：製程開發與工程分析使用的MetroLER™，及提供晶圓廠提升良率與生產應用的Fractilia自動化量測平台（Fractilia Automated Measurement Environment；FAME™）。Fractilia總部位於美國德州奧斯汀，且握有涵蓋FILM™與相關技術的多項專利與數百項商業機密。更多相關資訊，請瀏覽：www.fractilia.com。