(中央社訊息服務20230614 11:17:32)日本川崎--(美國商業資訊)--Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)擴大了其採用最新一代製程製造的N溝道功率MOSFET產品線[1]，該產品採用適合資料中心、開關電源和太陽光電發電機功率調節器的600V超接合結構。新產品TK055U60Z1是DTMOSVI系列中的首款600V產品，自即日起開始出貨。 本新聞稿包含多媒體資訊。完整新聞稿請見此： https://www.businesswire.com/news/home/20230612978169/zh-HK/ 透過最佳化閘極設計和製程，與具有相同漏源電壓額定值的Toshiba當前一代DTMOSIV-H系列產品相比，600V DTMOSVI系列產品單位面積漏源導通電阻降低約13%，MOSFET性能品質因數漏源導通電阻×閘漏電荷約降低52%，從而確保該系列同時實現低導通損耗和低開關損耗，有助於提高開關電源的效率。 新產品採用TOLL封裝，可實現其閘極驅動的信號源端子開爾文連接。封裝中源極線中電感的影響得以降低，從而增強MOSFET的高速開關性能，抑制開關期間的振盪。 Toshiba將繼續擴大其600V DTMOSVI系列產品陣容，及其已經發布的650V DTMOSVI系列產品，並透過降低開關電源的功率損耗來支持節能。 注： [1] 截至2023年6月。 應用 • 資料中心（伺服器用開關電源等） • 太陽光電發電機功率調節器 • 不斷電系統 特點 • 實現低漏源導通電阻×閘漏電荷，並實現高效率開關電源 主要規格 （除非另有說明，Ta=25°C） 零件編號 TK055U60Z1
絕對最大 額定值 漏源電壓VDSS (V) 600 漏極電流(DC) ID (A) 40 溝道溫度Tch (°C) 150 電氣特性 漏源導通電阻 RDS(ON) (mΩ) VGS=10V 最大值 55 總閘極電荷Qg (nC) 典型值 65 閘極漏極電荷Qgd (nC) 典型值 15 輸入電容Ciss (pF) 典型值 3680 封裝 名稱 TOLL 尺寸(mm) 典型值 9.9×11.68, t=2.3 樣品檢查和供應情況 線上購買
點選下面的連結，瞭解有關新產品的更多資訊。 TK055U60Z1 點選下面的連結，瞭解有關Toshiba MOSFET的更多資訊。 MOSFET 如需查看線上經銷商的新產品供應情況，請造訪： TK055U60Z1 線上購買 * 公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。 * 本文件中的資訊，包括產品價格和規格、服務內容和聯絡資訊，在發布之日為最新資訊。如有更改，恕不另行通知。 關於Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先進半導體和儲存解決方案的領導廠商，憑藉半個多世紀的經驗和創新，為客戶和商業夥伴提供卓越的離散半導體、系統LSI和HDD產品。 公司在全球的2.15萬名員工共同致力於最大限度提高公司產品價值，不斷強化與客戶的密切合作，攜手創造價值，合作開發新市場。在目前近8000億日圓（61億美元）年銷售額的基礎上，Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation期待為全人類創造更美好的未來並做出相關貢獻。 如需瞭解更多資訊，請造訪：https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html 免責聲明：本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用，煩請參照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。
請前往 businesswire.com 瀏覽源版本: https://www.businesswire.com/news/home/20230612978169/zh-HK/
CONTACT: 客戶查詢： 功率元件銷售與行銷部 電話：+81-44-548-2216 聯絡我們 媒體查詢： Chiaki Nagasawa 數位行銷部 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation [email protected]