【2023年5月25日，加州訊】具有全球領先氮化鎵（ GaN ）技術的宜普電源轉換公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，以下簡稱宜普公司）於今日向美國聯邦法院和美國國際貿易委員會（US International Trade Commission, ITC）正式提起訴訟，主張其基礎專利組合中的四項專利受到英諾賽科（中國廣東省珠海）科技有限公司及其子公司（以下統稱英諾賽科）侵害。這些被侵權的專利涉及宜普公司獨家的增強型氮化鎵功率半導體元件的設計、與製造的核心技術，且這些創新技術專利已成功將氮化鎵的功率元件從一個研究項目發展成為一個可大量生產的替代矽產品。此外，使用氮化鎵元件的電晶體和積體電路，更相較於使用矽基元件更具效率、輕巧且成本更低。
宜普公司位於美國加州的埃爾塞貢多（ El Segundo），將氮化鎵從科學探索轉變為一種被廣泛接受的技術，並提高了能源使用效率。宜普公司於2010年開始製造第一批大規模生產的商用氮化鎵電晶體和積體電路；自此，宜普公司成為產業中公認的氮化鎵產品和服務的領導者。
在本次所提出的起訴狀中，宜普公司詳述了位於中國廣東的英諾賽科公司總部招募了兩名宜普公司的員工分別擔任科技長和銷售暨行銷業務負責人。不久後，英諾賽科便推出了一套與宜普公司明顯相同的產品，並自稱其產品在重點效能指標上的表現與宜普公司產品幾乎相同。近期，英諾賽科又宣稱其許多產品與市場上現有產品（包含宜普公司產品）「完全相容」，更大膽積極的策劃行銷活動並向宜普公司的客戶推銷這些產品元件。
宜普公司共同創辦人兼首席執行長Alex Lidow博士表示：「我一直堅信公平合作是全球科技市場的基礎，唯有透過合作，我們才能激發氮化鎵技術的潛力，以支持世界能源安全，並達成永續目標。 然而，對智慧財產權的保護和尊重，也是相互信任及公平合作的必要條件。氮化鎵做為一個新興的關鍵技術，我深信，透過這次果斷的起訴行動，能找到一個公平且合理的解決方案，並為這項技術為所有參與者，提供一個公平的競爭環境，以確保氮化鎵產業生態能良好運作。」
宜普公司向聯邦法院和美國國際貿易委員會起訴英諾賽科公司侵害專利權、尋求損害賠償，並希望美國禁止進口該公司構成侵權的氮化鎵產品元件。
取代矽： 氮化鎵與電源轉換的未來
氮化鎵（ GaN ）將成為下一代的電源轉換技術，有望在未來十年內取代矽基功率半導體。與矽基半導體相比，氮化鎵是更小、更具有效率、且更可靠，並能以更低的成本表現出更良好的性能。其應用範圍從計算、汽車、太陽能、機器人、無人機、醫療電子和雷射探測與測距到日常產品，如手機、音響設備、智慧型電器、電動工具、快速充電器和電動自行車等。
此外，氮化鎵技術有望將全球能源效率提高15-20%，這將有助於降低能源成本、減少有害氣體排放，並支持美國的能源安全和永續發展目標。而專家預測，在未來兩到三年內，氮化鎵市場將達到數十億美元的規模，並在未來十年內達到約數百億美元的高峰。
【關於宜普電源轉換公司】
宜普電源轉換公司是全球氮化鎵技術和產品的領導者，以其優越的技術居於領先。宜普公司於2010年推出了首款氮化鎵產品，目前擁有57項美國專利和172項全球專利。此外，宜普公司目前擁有100多種的積體電路（Integrated Circuits, ICs）和分離式電晶體，並可隨時交付，且產品性能也一直優於競爭對手。
宜普公司的聯合創辦人兼首席執行官Alex Lidow博士被公認為是現代電力轉換產業的創辦人之一，其名下擁有21項半導體技術的專利。Alex Lidow博士的職業生涯始於國際整流器有限公司（International Rectifier Corporation, IR），在此公司他曾擔任研發副總裁，後於1995-2007年擔任首席執行長。此外，他也曾代表美國半導體產業協會（Semiconductor Industry Association , SIA）參加了促成1986年美日半導體協議的貿易談判，並多次代表半導體產業向國會作證。 2015年，他憑藉將更高效率的功率元件商業化，榮獲北美SEMI獎，並在2019年入選IEEE名人堂。 Lidow博士最為出名的經歷是作為HEXFET功率MOSFET的共同發明者。該技術使全球能源效率提高了30%，並於全球市場創造了價值400億美元。目前， Lidow博士將攜手宜普公司透過新興的氮化鎵技術來替代他在40多年前所創造的技術。