東芝推出採用TOLL封裝的650V超級接面功率MOSFET，有助於改善大電流設備的效率

(中央社訊息服務20210312 09:50:22)東京--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，「東芝」）在其TOLL（TO-無引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級接面功率MOSFET：TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z。從今天開始大量生產出貨。

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TOLL是表面貼裝型封裝，所需空間比常見的D2PAK封裝小27%。它也屬於4針型封裝，能夠對柵極驅動的訊號源端子進行開爾文(Kelvin)連接。這種設計可減小封裝中源極線電感的影響，進而發揮MOSFET的高速開關性能，並抑制開關時產生的振盪。與東芝現有產品TK090N65Z[1]相比，其導通開關損耗降低了約68%，關斷切換損耗降低了約56%[2][3]。新型MOSFET適用於資料中心和光電功率調節器等工業設備的電源。

TOLL封裝與最新[4]DTMOSVI製程技術的結合擴展了產品陣容，涵蓋了低至65mΩ（最大值）的低導通電阻[5]。東芝將繼續採用TOLL封裝製程對產品進行升級，以減小設備尺寸並提高效率。

註：

[1]具有等效電壓和導通電阻的DTMOSVI系列產品均採用無開爾文連接的TO-247封裝製程

[2]截至2021年3月10日，東芝測得的數值（測試條件：VDD=400V, VGG=+10V/0V, ID=15A, Rg=10Ω, Ta=25℃）。

[3]僅限TK090U65Z

[4]截至2021年3月10日

[5]僅限TK065U65Z

應用

• 資料中心（伺服器電源等）

• 光電發電機用電源調節器

• 不斷電供應系統

特性

• 纖薄、小巧的表面貼裝封裝

• 採用4針封裝，可減少導通和關斷的開關損耗

• 最新[4]一代DTMOSVI系列

主要規格

(Ta=25°C)

器件型號 TK065U65Z

TK090U65Z

TK110U65Z

TK155U65Z

TK190U65Z

封裝 名稱 TOLL

尺寸典型值

(mm) 9.9x11.68, t:2.3

絕對最大額定值 漏極

源極

電壓

VDSS (V) 650

漏極

電流

(DC)

ID (A) 38 30 24 18 15

漏源

導通電阻

RDS(ON)最大值(Ω)

@VGS=10V 0.065 0.09 0.11 0.155 0.19

柵極電荷總量

Qg典型值(nC) 62 47 40 29 25

柵極漏極電荷

Qgd典型值(nC) 17 12 11 8 7.1

輸入電容

Ciss典型值(pF) 3650 2780 2250 1635 1370

結殼

熱阻

Rth(ch-c)最大值(℃/W) 0.462 0.543 0.657 0.833 0.961

常規系列(DTMOSIV)

器件型號 - - - TK20G60W[6] TK16G60W[6]

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註：

[6]VDSS＝600V，D2PAK封裝

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