東芝推出採用最新一代製程的80V N溝道功率MOSFET，協助提高電源效率

(中央社訊息服務20200330 18:11:29)

-擴展U-MOS X-H功率MOSFET系列產品陣容-

東京--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，簡稱「東芝」）為其採用最新一代製程的「U-MOS X-H系列」增加了80V N溝道功率MOSFET。新推出的MOSFET適用於資料中心和通訊基地台中所用的工業設備的開關電源。

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新增產品包括採用表面黏著SOP Advance封裝的TPH2R408QM以及採用TSON Advance封裝的TPN19008QM。產品即日起出貨。

由於採用了最新一代製程技術，比當前製程U-MOS VIII-H系列中的80V產品相比，新款80V U-MOS X-H產品的漏源導通電阻降低了大約40%。透過最佳化元件結構，漏源導通電阻與閘極電荷特性[1]之間的平衡也得到了改善[2]。因此，新產品可提供業界最低的功耗[3]。

東芝正在擴展其降耗型產品系列，以協助降低設備功耗。

應用場合

• 開關電源（高效率AC-DC轉換器、DC-DC轉換器等）

• 馬達控制設備（馬達驅動器等）

特性

• 業界最低[3]功耗（透過改善導通電阻與閘極電荷特性[2]之間的平衡）

• 業界最低 [3]導通電阻：

VGS=10V (TPH2R40QM)時，RDS(ON)=2.43mΩ（最大值）

VGS=10V (TPN19008QM)時，RDS(ON)=19mΩ（最大值）

• 高額定通道溫度：Tch = 175℃

主要規格

（除非另有說明，Ta=25℃時）

產品型號 TPH2R408QM

TPN19008QM

絕對

最大

額定值 漏源電壓VDSS (V) 80 80

漏極電流(DC) ID (A) Tc=25℃時 120 34

通道溫度Tch (℃) 175 175

電氣

特性 漏源導通電阻

RDS(ON)最大值(mΩ) VGS=10V時 2.43 19

VGS=6V時 3.5 28

總閘極電荷（閘源+閘漏）

Qg典型值(nC) 87 16

閘極開關電荷Qsw典型值(nC) 28 5.5

輸出電荷Qoss典型值(nC) 90 16.5

輸入電容Ciss典型值(pF) 5870 1020

封裝 名稱 SOP Advance TSON Advance

尺寸典型值(mm) 5.0×6.0 3.3×3.3

進貨與採購 線上購買

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注：

[1] 總閘極電荷（閘源+閘漏）、閘極開關電荷、輸出電荷

[2] 與TPH4R008NH（U-MOS VIII-H系列）相比，TPH2R408QM的漏源導通電阻x總閘極電荷約提高15%，漏源導通電阻 x 閘極開關電荷約提高10%，漏源導通電阻x輸出電荷約提高31%。

[3] 截至2020年3月30日，東芝調查。

如需獲得有關新產品的更多資訊，請關注以下連結

TPH2R408QM

https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TPH2R408QM

TPN19008QM

https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TPN19008QM

如需獲得有關東芝12-300V MOSFET系列的更多資訊，請關注以下連結。

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/lv-mosfet.html

如需查看線上經銷商處的新產品供應資訊，請造訪：

TPH2R408QM

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPH2R408QM.html

TPN19008QM

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPN19008QM.html

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有關東芝電子元件及儲存裝置株式會社的更多詳情，請造訪：https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

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