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隨著快速充電器的普及和發展，市場需要更高性能的用於次級側整流器的功率MOSFET。這些新的MOSFET利用東芝低電壓溝槽結構製程，實現了業界領先的[1]低導通電阻和高速性能。該結構降低了RDS(ON) * Qsw[2]的性能指標，改善了開關應用。透過減小輸出電荷，實現輸出損耗改善，有助於提高裝置效率。而且，對4.5V邏輯電平驅動的支援使控制器IC無緩衝驅動成為可能，有助於降低系統功耗。此外，這些新產品可因應USB 3.0相關應用所需的高輸出和高電壓電源。新的MOSFET適合於一系列應用，包括伺服器和通訊設備所需的快速充電器、開關式電源以及直流-直流轉換器等。
新MOSFET的主要特性：
（除非另作說明，Ta=25℃）
產品型號
極性
絕對
最大額定值
漏源極
導通電阻
RDS(ON)最大值
(mΩ)
閘極
總
電荷
Qg典型值
(nC)
輸出
電荷
Qoss典型值
(nC)
閘極開關
電荷Qsw
典型值
(nC)
輸入
電容
Ciss典型值
(pF)
封裝
漏
源極
電壓
VDSS (V)
漏極
電流
(DC)
ID (A)
@Tc =
25℃
@VGS=
10 V
@VGS=
4.5 V
TPH6R30ANL
N溝道
100
45
6.3
10.3
55
46
14
3300
SOP
Advance
TPH4R10ANL
70
4.1
6.6
75
74
21
4850
主要特性
・支援4.5V邏輯電平驅動
・支援低導通電阻和高速性能的業界領先[1]產品
註
[1]
在具有相同額定功率的產品類別中，截至2017年1月11日。東芝調查。
[2]
RDS(ON):漏源極導通電阻
Qsw:閘極開關電荷
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關於東芝
東芝公司是一家《財星》雜誌全球500大企業，致力於將其在先進電子和電氣產品及系統方面的一流能力運用於三大重點業務領域：更為清潔和安全的維持日常生活的能源業務；保持生活品質的基礎建設業務；以及實現先進的資訊社會的儲存業務。在東芝集團的基本承諾「為了人類和地球的明天」的指引下，東芝竭力推動全球業務，並致力於實現一個讓子孫後代可以享有更加美好的生活的世界。
東芝於1875年在東京成立，如今已成為一家有著550家附屬公司的環球企業，全球擁有超過188,000名員工，年銷售額逾5.6兆日圓（500億美元）。（截至2016年3月31日）
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