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力成Q4成長低個位數 再衝單季新高

中央商情網/ 2016.10.25 00:00
(中央社記者鍾榮峰台北2016年10月25日電)力成(6239)總經理洪嘉?預期,力成第4季業績正向成長,審慎樂觀,預期第4季成長幅度在低個位數百分點。法人預估,力成第 4季業績可望再創單季新高。

記憶體封測廠力成下午舉辦法人說明會。

觀察市場狀況,洪嘉?指出,第3季整體市場需求明顯改善,封裝和記憶體凸塊晶圓(Bumping)出貨表現佳,第4季整體市場維持正向發展。

從動態隨機存取記憶體(DRAM)產品項目來看,洪嘉?表示,整體DRAM供給相當吃緊,相對來看價格持續提升。智慧型手機行動記憶體(Mobile DRAM)需求持續強勁,電腦和伺服器用標準型DRAM(Commodity DRAM)需求正向,消費產品利基型DRAM擴張正向。

在快閃記憶體(Flash)部分,洪嘉?指出,供給相當吃緊,行動裝置用快閃記憶體密度容量持續增加,固態硬碟(SSD)滲透率成長,可望進一步取代傳統硬碟。

從邏輯IC來看,第4季邏輯IC晶圓供應仍相當吃緊。

從終端產品來看,洪嘉?表示,第4季仍可維持強勁的季節性需求表現。

展望力成第4季,洪嘉?表示,力成對第4季表現維持正向健康的看法,審慎樂觀,力成預期第4季可小幅成長低個位數百分點。

法人表示,力成第4季業績可望再創歷年單季新高。

從各產品應用來看,洪嘉?預期,力成第4季繪圖記憶體(Graphic DRAM)、行動記憶體、標準型記憶體、消費型和利基型記憶體封測表現正向。

在快閃記憶體部分,洪嘉?指出,行動裝置用高密度快閃記憶體和高階固態硬碟正向。

在邏輯IC部份,洪嘉?表示,力成第4季傳統和BGA封裝產品可望持平或小幅成長。

在先進封裝部分,洪嘉?表示,包括凸塊晶圓(Bumping)和覆晶封裝(FC)成長正向,矽穿孔(TSV)和3D封裝產品可進入小量生產階段。

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