力成Q4成長低個位數 再衝單季新高

記憶體封測廠力成下午舉辦法人說明會。

觀察市場狀況，洪嘉?指出，第3季整體市場需求明顯改善，封裝和記憶體凸塊晶圓（Bumping）出貨表現佳，第4季整體市場維持正向發展。

從動態隨機存取記憶體（DRAM）產品項目來看，洪嘉?表示，整體DRAM供給相當吃緊，相對來看價格持續提升。智慧型手機行動記憶體（Mobile DRAM）需求持續強勁，電腦和伺服器用標準型DRAM（Commodity DRAM）需求正向，消費產品利基型DRAM擴張正向。

在快閃記憶體（Flash）部分，洪嘉?指出，供給相當吃緊，行動裝置用快閃記憶體密度容量持續增加，固態硬碟（SSD）滲透率成長，可望進一步取代傳統硬碟。

從邏輯IC來看，第4季邏輯IC晶圓供應仍相當吃緊。

從終端產品來看，洪嘉?表示，第4季仍可維持強勁的季節性需求表現。

展望力成第4季，洪嘉?表示，力成對第4季表現維持正向健康的看法，審慎樂觀，力成預期第4季可小幅成長低個位數百分點。

法人表示，力成第4季業績可望再創歷年單季新高。

從各產品應用來看，洪嘉?預期，力成第4季繪圖記憶體（Graphic DRAM）、行動記憶體、標準型記憶體、消費型和利基型記憶體封測表現正向。

在快閃記憶體部分，洪嘉?指出，行動裝置用高密度快閃記憶體和高階固態硬碟正向。

在邏輯IC部份，洪嘉?表示，力成第4季傳統和BGA封裝產品可望持平或小幅成長。

在先進封裝部分，洪嘉?表示，包括凸塊晶圓（Bumping）和覆晶封裝（FC）成長正向，矽穿孔（TSV）和3D封裝產品可進入小量生產階段。