隨著半導體產業朝先進製程發展，宜特(3289-TW)宣布，檢測技術再突破，其TEM材料分析技術，已通過國際級客戶肯定，驗證技術可達5奈米製程；宜特表示，5奈米是下階段各半導體廠的競逐場，宜特目前就已有半導體客戶，朝5奈米製程發展。宜特近期協助多間客戶在先進製程產品上完成TEM分析與驗證，技術更深獲IEEE半導體元件故障分析領域權威組織IPFA(International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits，積體電路失效分析論壇)肯定，連續數年通過大會審核，並在大會期間發表最新研究成果。宜特表示，近年企業為打造效能更高、功耗更低、體積更小的半導體元件以滿足現今智能產品需求，各大廠在先進製程開發腳步越來越快，從20奈米、去年14奈米製程，陸續在今年往10奈米、7奈米製程進行量產準備；多家半導體大廠今年更已朝5奈米製程進行研發藍圖，帶動整個供應鏈的材料分析需求。宜特指出，材料分析是宜特近年重要佈局項目。產能方面近3年以倍增方式持續擴產；技術方面去年下半年材料分析技術達10奈米後，即陸續獲得半導體客戶委案。宜特材料分析處處長陳聲宇表示，5奈米製程是下一階段各半導體廠商的競逐場，宜特在先進製程演進過程提供檢測驗證方案，目前已有國際級半導體客戶，朝5奈米製程邁進。陳聲宇指出，隨著摩爾定律在5奈米製程以下將面臨物理極限，業界也開始積極尋找微縮製程以外的解決方案，3D IC即為其中最受矚目的解決方案；此次在IPFA所發表的論文「先進TEM材料分析技術於3D IC矽穿孔(TSV)製程之應用」，即是針對3D IC製程中的分析需求，所提出的新穎分析手法。陳聲宇說明，在3D IC製程中，宜特此次發表之論文，就是利用新穎的TEM分析技術，解析出3D IC製程結構的應力分佈，精確度可達數個奈米，可協助突破過往應力分析上的限制。