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力晶:公告本公司取得美國專利局核發US 9245766專利

鉅亨網/鉅亨網新聞中心 2016.03.28 00:00
第七條第8款1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:記憶體線路結構以及其半導體線路製程2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/01/263.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$176,4584.其他應敘明事項:本發明提出了一種用以形成特定圖形特徵的半導體製程,其步驟包含:在基底上形成一目標層以及等間隔排列的內核體、共形地形成一硬遮罩層、在硬遮罩層上形成第一光阻,其中該第一光阻涵蓋一預定區域,該預定區域包含兩個以上的該些內核體、進行一第一蝕刻製程去除該預定區域以外部分的硬遮罩層,以裸露出部分內核體、去除該些裸露的內核體、在該預定區域內形成一第二光阻,其至少涵蓋該預定區域中所有的凹槽、以及進行一第二蝕刻製程圖形化該目標層。

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