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3D NAND增速 產出比重上看2成

中央社/ 2016.03.26 00:00
(中央社記者張建中新竹26日電)儲存型快閃記憶體(NAND Flash)供應商爭相加速3D NAND Flash發展,市調機構集邦科技預估,今年3D NAND Flash產出比重可望自去年的6%,大幅攀高至20%水準。

三星為全球3D NAND Flash發展最快速的廠商,在各大個人電腦代工廠中已獲得不錯的市占率;目前第3代3D NAND Flash將完成產品測試階段,可望在今年下半年隨著新款筆記型電腦鋪貨而開始量產。

東芝則在今年第1季開始小量生產3D NAND Flash,集邦科技指出,因應5年後3D NAND Flash需求,東芝計劃第4季動工在現有廠區的周邊擴建,預計2018年上半年加入3D NAND Flash生產行列。

晟碟(SanDisk)也開始進行3D NAND Flash初期小量試產,M14廠第2階段將從今年下半年加入生產行列,滿足3D NAND Flash市場需求。

美光已將3D NAND Flash送樣模組廠測試,集邦科技表示,美光未來將以隨身碟及消費性固態硬碟產品為主;美光自有品牌的3D NAND Flash固態硬碟預計今年第3季初送將各個人電腦代工廠認證。

隨著各NAND Flash供應紛紛加速3D NAND Flash發展,集邦科技預期,今年3D NAND Flash產出比重可望攀高至20%水準,將有助固態硬碟加速普及。

中國大陸武漢新芯預計下週動土興建新記憶體晶圓廠,集邦科技表示,這座新廠最快將在2018年初開始生產3D NAND Flash,將代表中國大陸發展記憶體產業邁入新里程碑。

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