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日本的技術開發型中小企業株式會社吉岡精工,精湛運用50μm以下的超薄型半導體矽晶圓平面吸附技術,推出新商品『熱真空吸盤(HoVaC)』

中央社/ 2016.03.01 00:00
•可以在令50μm以下的薄型半導體晶圓或薄膜保持不變形的前提下,實現高成品率的吸附固定。

•能夠以5μm以下的平面度實現半導體晶圓的吸附,今後還可以應用於紙、金屬、薄膜等領域。

(中央社訊息服務20160301 10:33:40)

東京--(美國商業資訊)--株式會社吉岡精工研發了新商品『熱真空吸盤(HoVaC)』。HoVaC是在本公司獨創產品多孔吸盤的背面安裝了加熱裝置,最高加熱溫度可達250℃,從而能將各種超薄型材料在保持不變形的前提下,吸附於吸附面。

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影片介紹(YouTube)

https://www.youtube.com/watch?v=5Y-Mhuutmx0

在半導體製造一線,矽晶圓等的薄型化趨勢正急劇加速,為此,對這些超薄型晶圓進行貼合或研磨等加工時的難度也不斷提高。本公司的獨創產品多孔吸盤,加工時的吸附面平面平行度能實現5μm以下的精度,我們在此類特殊加工領域具備引以為豪的卓越技術力量,至今不斷為半導體製造的成品率提升做出貢獻。

本新商品的設想利用場景並不僅限於半導體製造工序,還可以應用於各種檢查裝置、安裝於加工機械等現有設備上、或作為台式小型實驗設備使用等等,潛藏著多種多樣的可能性。

本公司置身於日本的高度判斷標準當中業已超過45年,我們發揮自身在優勝劣汰的競爭中脫穎而出的高超技術力量與微型世界的精密度,基於這兩方面的絕對可靠性孕育打造出這款HoVaC。無論是追求日本高水準技術完成度的客戶,還是對綻放光芒的多孔吸盤等其他新產品感興趣的客戶,如果希望聽取詳細說明,敬請諮詢本公司上海事務所或台灣代理商。

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