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調研:明年DRAM價續跌 有賴20奈米製程維持獲利

NOWnews/ 2015.12.17 00:00
記者許家禎/台北報導

2015年受到需求面不振、持續供過於求的影響,DRAM價格呈現顯著衰退,尤其以標準型記憶體最為明顯。調研機構今(17)日發布調查顯示,在寡占市場型態下,雖然小幅供過於求且價格持續下滑,各供應商生產仍保持紀律,未有明顯新增產能,因此延續2013年與2014年態勢,今年DRAM各廠仍維持全面獲利。

TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示,2016年雖然受惠於來自智慧型手機及伺服器的需求影響,單機搭載容量會有顯著提升,各項終端產品仍難有爆發性的發展。預估2016年整體DRAM需求約為23%,供給位元成長約為25%。市場仍維持小幅供過於求,DRAM單價持續下滑,各家獲利能力將大幅取決於製程轉進所造成的成本下降,以及產品組合的調配。

吳雅婷表示,DRAM屬寡占市場型態,各供應商在產能的擴張上皆有所節制,相較仍處於完全競爭的市場型態的NAND Flash健康許多。2016年的位元產出主要是來自於SK海力士與美光半導體20/21奈米的轉進,晶圓產能上,除三星的Line17可能再微幅上升、SK海力士的新廠M14會陸續啟用之外,2016年DRAM總投片量與2015年呈現持平。

隨著市場需求轉變以及20奈米逐漸成熟,DDR4的生產比例越來越高。2015年由於Intel平台支援度的問題,DDR4的導入主要發生在伺服器端,並且已經率先在第4季取代DDR3成為主流。DRAMeXchange預估,個人電腦/筆記型電腦端由新平台Skylake開始採用DDR4,將會在2016年第2季起放量,成為主流解決方案。

智慧型手機受惠於20nm製程產出的LPDDR4普及度越來越高,高階旗艦機種(除Apple以外)以3GB/4GB為標準規格。吳雅婷指出,2016年第2季起就會有單機DRAM搭載容量上達6GB的機種問市,大幅增加行動式記憶體的需求動能。伺服器記憶體亦然,受惠於20nm製程產出的DDR4普及度升高,在高容量32GB/64GB模組成本降低,促使廠商策略性調降價格以刺激需求,有助於伺服器記憶體生產比重提升。

2016年中國大陸持續發展半導體的策略不變,仍將有許多併購發生,記憶體方面更是大陸發展的重點項目之一。吳雅婷進一步表示,與NAND Flash較為混亂的市場態勢相較,DRAM市場三強鼎立的狀態結構穩固,引進新的競爭者恐怕導致更嚴重的供過於求,因此三強與中國合作可能性低,使得大陸欲進軍DRAM產業的困難度遠高過其他半導體產品類別。

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