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台灣之光 應用材料公司張崇平博士榮膺IEEE院士之崇高殊榮

大成報/ 2015.12.16 00:00
【大成報記者羅蔚舟/新竹報導】

應用材料公司今日宣布,該公司負責公司與大學及產業聯盟策略性對外研究業務的張崇平博士,榮膺2016年IEEE(國際電機電子工程師學會)院士;張崇平博士因研究「CMOS技術的替代柵極和淺溝槽隔離」貢獻卓著,其研究對積體電路(IC)製造的進展深具影響。IEEE院士評等是IEEE董事會依會員個人在IEEE各個工程領域的傑出記錄予以頒贈,IEEE院士是最高的會員資格,被科技界視為一項崇高殊榮,也是重要的事業成就。每年所評選出的院士總數不能超過總投票成員的千分之一。

應用材料公司是全球前五百大公司之一,專為半導體、平面顯示器、太陽光電產業提供精密材料工程解決方案。應用材料公司的創新技術可協助諸如智慧型手機、平面電視及太陽能電池更具成本效益,更方便使用。應用材料公司資深副總裁暨技術長歐姆.納拉馬蘇(Om Nalamasu)博士表示:「張博士卓越的研究協助業界於CMOS微縮技術採行新方法,對我們每天所使用的電子產品在效能、功能及尺寸上,貢獻良多。張博士獲此殊榮乃實至名歸,同時感謝他帶領應用材料公司與大學及聯盟各種協同合作的努力。」

畢業於國立清華大學,後赴美深造與就業的張崇平博士,擁有傑出的技術貢獻,以及豐富的半導體業界服務橫跨近三十年。在貝爾實驗室工作期間,他所帶領的先驅性研究,協助業界中通過CMOS技術史上最顯著的電晶體之一,及至今日,幾乎所有的CMOS邏輯元件,包括鰭式電晶體(FinFET),皆採用替代柵極技術。此外,張博士在早期的研究職涯對沉積、蝕刻與先進電漿處理技術也貢獻良多。

張博士在另一重要領域即先進淺溝槽隔離(STI)也有顯著貢獻。他早期的一項詳盡研究顯示,改變溝槽頂部角的形狀,有助於解決缺陷密度、漏電流和元件的臨界電壓控制等的嚴重問題。該項研究對STI 在主流CMOS製造的穩健性和世代可延續性具有長期影響,在某種程度上,甚至也影響近年所問世的重大CMOS製程技術,多也引用張博士及其團隊所開發的STI頂角工程技術。

(圖由應用材料提供/應用材料張崇平博士在兩項最具挑戰的CMOS微縮領域上傑出技術貢獻,榮膺2016年IEEE(國際電機電子工程師學會)院士。)

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