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東芝推出實現業界最低插入損耗的智慧型手機射頻開關SOI製程

中央社/ 2015.11.23 00:00
採用新一代TaRF8製程製造的樣品將於1月開始提供

(中央社訊息服務20151123 11:46:52)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(TOKYO:6502)旗下半導體與儲存產品公司今日宣布研發新一代TarfSOI™(東芝先進的射頻絕緣矽(SOI))製程——TaRF8,該製程針對射頻(RF)開關應用進行了最佳化,實現了業界最低[1]插入損耗[2]。採用新製程製造的SP12T[3]射頻開關IC適用於智慧型手機,樣品出貨將於2016年1月啟動。

這份智慧新聞稿包含多媒體內容。完整新聞稿可在以下網址查閱:http://www.businesswire.com/news/home/20151119006843/en/

SP12T為一款用於行動應用的傳輸射頻開關IC,其搭載整合式MIPI-RFFE[4]控制器,適用於3GPP GSM、UMTS、W-CDMA、LTE 和LTE-Advanced[5]標準。採用東芝新一代製程——東芝享有專利的、針對射頻開關進行了最佳化的SOI-CMOS[6] TarfSOI前端製程——TaRF8製造的產品實現了業界最低插入損耗(0.32db/2.7GHz)。與使用東芝當前TaRF6製程製造的產品相比,其插入損耗提高0.1dB,同時保持相同水準的失真特性。

隨著行動通訊趨向於高速率、大容量資料傳輸,智慧型手機等行動裝置所使用的射頻開關IC需要多埠支援和更高的射頻性能。在這一點上,降低插入損耗是一個尤為重要的因素,因為它降低射頻傳輸功率損耗,可支援行動裝置具備更長的電池續航時間。

東芝正在研發利用其內部晶圓廠應用SOI-CMOS技術的高性能射頻開關IC,SOI-CMOS技術適合於整合式類比和數位電路。透過處理該生產流程的所有方面,從射頻製程技術開發到射頻開關晶片的設計和製造,東芝可以根據其自己的射頻開關IC產品的研發結果回饋迅速改進SOI-CMOS製程技術。這種整合元件製造商(IDM)模式讓東芝能夠快速建立適合於實際產品的新製程技術,並在市場上推出採用最新製程技術製造的產品。

東芝將繼續提高其TarfSOI製程技術的性能,並透過推出領先其他製造商的尖端技術產品,努力滿足客戶和市場對射頻開關IC的需求。

[1] 截至2015年11月20日,射頻開關IC市場。東芝調查。

[2] 當射頻訊號透過射頻開關傳輸時發生的功率損耗,以分貝(dB)表示。

[3] 單刀十二擲開關

[4] 一種適用於行動裝置射頻元件控制的序列匯流排界面規範,由MIPI(行動通訊產業處理器介面)聯盟射頻前端(RFFE)工作小組標準化。

[5] 由3GPP(第三代合作夥伴計畫)規定的行動通訊標準。

[6] 透過利用MOSFET溝道下的絕緣層來降低寄生電容的技術。SOI:絕緣矽

* TarfSOI是東芝公司的商標。

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關於東芝

東芝公司是一家《財星》雜誌全球500大企業,致力於將其在先進電子和電氣產品及系統方面的一流能力運用於五個策略業務領域:能源與基礎建設、社區解決方案、醫療照護系統與服務、電子設備與元件,以及生活方式產品與服務。在東芝集團的基本承諾「為了人類和地球的明天」的指引下,東芝竭力推動全球業務,並致力於實現一個讓子孫後代可以享有更美好生活的世界。

東芝於1875年在東京成立,如今已成為一家有著580多家附屬公司的環球企業,全球擁有超過199,000名員工,年銷售額逾6.6兆日圓(550億美元)。

更多資訊請造訪東芝網站:www.toshiba.co.jp/index.htm

原文版本可在businesswire.com上查閱:http://www.businesswire.com/news/home/20151119006843/en/

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