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明年記憶體市況 市調保守看

中央社/ 2015.10.16 00:00
(中央社記者張建中新竹16日電)市調機構集邦科技對明年記憶體市況展望保守,預期明年NAND Flash市場恐將明顯供過於求,並認為DRAM市場需求若無法有效去化新增產出,跌價情況恐將加劇。

集邦科技表示,動態隨機存取記憶體(DRAM)產業進入寡占格局後,三星、海力士與美光三大廠競爭並未停歇;受需求不振影響,今年來標準型記憶體價格已大跌近40%。

伺服器記憶體產品價格也在下半年跌勢加劇;僅行動記憶體需求在智慧手機市場帶動下仍有成長,隨著iPhone 6S記憶體搭載量來到2GB,價格跌幅相對收斂。

展望明年,集邦科技研究協理郭祚榮表示,三星為保有技術領先優勢,決議導入18奈米生產,海力士與美光也都計劃跟進,若需求端無法有效去化新增產能,DRAM顆粒價格跌勢恐將加劇。

至於儲存型快閃記憶體(NAND Flash)方面,集邦科技研究協理楊文得預期,受整體經濟環境影響,各代工終端需求與記憶卡、隨身碟等零售市場展望保守,明年位元需求成長率將約44%。

至於供給端,楊文得預期,隨著製程技術持續推進,3D NAND Flash開發進度加速,明年位元供給產出將成長達50%,明年整體NAND Flash市場恐將明顯供過於求。

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