聯電採0.11微米eFlash　量產觸控IC高效能

聯電22日宣布，已採用0.11微米eFlash製程量產觸控IC應用產品。此特殊技術最初於2012年底於聯電推出，是為晶圓專工業界第一個結合12V與純鋁後段(BEoL)製程，以因應次世代觸控控制器及物聯網應用產品的需求。在整合更高密度嵌入式快閃記憶體與SRAM，以便用於各尺寸觸控螢幕產品的微控制器時，0.11微米製程可提供比0.18微米製程更小更快的邏輯元件，並可達到更高效能。

聯電市場行銷處資深處長黃克勤表示，觸控面板已是今日電子產品主流的操作介面。聯電觸控平台解決方案其中一項重要特點，就是0.11微米eFlash解決方案，包含了可提供晶片設計公司的專有快閃記憶體macro設計服務。並藉由結合鋁後段製程來提供最佳成本效益，服務高度競爭的觸控IC市場。

此外，就如公司0.18微米eFlash製程一樣，12V可滿足今日更大尺寸觸控螢幕，與瀏覽網頁時在觸控螢幕上懸浮觸控(hover)應用的高信噪比需求。聯電0.11微米觸控IC平台與現今廣泛採用的3.3V解決方案相比，信噪比可改善超過3倍，可驅動晶片設計公司創造新世代更先進的觸控產品。

聯電擁有製造觸控控制器IC的豐富經驗，有超過30家生產中的觸控客戶，每月出貨量逾4000萬顆IC。0.11微米製程以8吋晶圓製造，並採用純鋁後段技術，使觸控晶片設計公司能夠享有更低的一次性工程費用與相關成本，以提高市場競爭力。

聯電同時提供自行研發的快閃記憶體矽智財，協助加速產品上市時程並促進客製化，以因應當今市場趨勢。聯電也開發極低漏電製程(uLL)，進一步降低元件與SRAM的核心電流達最高四倍。