聯電特殊製程搶攻觸控晶片市場

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發布：2015/09/23 00:00（台灣時間）資料更新：2017/05/10 03:53（台灣時間）

（中央社記者張建中新竹2015年9月23日電）晶圓代工廠聯電(2303)宣布，採用0.11微米eFlash特殊製程量產觸控晶片產品。

聯電表示，0.11微米eFlash製程是於2012年底推出，是一個結合12V與純鋁後段製程的特殊技術，主要鎖定次世代觸控晶片及物聯網應用產品市場。

聯電指出，在觸控晶片製造經驗豐富，有超過30家客戶，每月出貨量超過4000萬顆晶片。

0.11微米eFlash製程，整合更高密度嵌入式快閃記憶體與SRAM，將可提供比0.18微米製程更小更高效能的產品；聯電表示，結合鋁後段製程，將可提供更佳成本效益，有助客戶面對高度競爭市場。