力成衝中國大陸布局標準型DRAM

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11 年前

（中央社記者鍾榮峰台北28日電）記憶體封測廠力成總經理洪嘉(金俞)表示，中國大陸西安廠將以標準型DRAM封測產線為主，台灣廠將以行動DRAM和繪圖DRAM封測為主。

力成下午舉辦線上法人說明會。

法人問及力成在中國大陸和台灣記憶體封測產線布局，洪嘉(金俞)表示，台灣廠主要鎖定行動DRAM(Mobile DRAM)、繪圖DRAM(Graphic DRAM)、高階伺服器和利基型DRAM(niche DRAM)封測產線，也會因應客戶需求，保留小部分標準型DRAM產線。

在中國大陸，洪嘉(金俞)表示，力成規劃將大部分標準型DRAM封測產線逐步轉移到中國大陸。

從產能利用率來看，洪嘉(金俞)指出，力成第2季快閃記憶體(Flash)封裝稼動率約85%到90%，DRAM封裝稼動率約75%到80%，邏輯IC稼動率約6成多。

洪嘉(金俞)表示，高階測試機產能利用率已經滿載，新機台第3季可望持續滿載，測試平均稼動率約7成左右，今年力成持續提高測試營業額，增加測試使用效率。

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