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力成衝中國大陸 布局標準型DRAM

中央社/ 2015.07.28 00:00
(中央社記者鍾榮峰台北28日電)記憶體封測廠力成總經理洪嘉(金俞)表示,中國大陸西安廠將以標準型DRAM封測產線為主,台灣廠將以行動DRAM和繪圖DRAM封測為主。

力成下午舉辦線上法人說明會。

法人問及力成在中國大陸和台灣記憶體封測產線布局,洪嘉(金俞)表示,台灣廠主要鎖定行動DRAM(Mobile DRAM)、繪圖DRAM(Graphic DRAM)、高階伺服器和利基型DRAM(niche DRAM)封測產線,也會因應客戶需求,保留小部分標準型DRAM產線。

在中國大陸,洪嘉(金俞)表示,力成規劃將大部分標準型DRAM封測產線逐步轉移到中國大陸。

從產能利用率來看,洪嘉(金俞)指出,力成第2季快閃記憶體(Flash)封裝稼動率約85%到90%,DRAM封裝稼動率約75%到80%,邏輯IC稼動率約6成多。

洪嘉(金俞)表示,高階測試機產能利用率已經滿載,新機台第3季可望持續滿載,測試平均稼動率約7成左右,今年力成持續提高測試營業額,增加測試使用效率。

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