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力晶:公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發CN 1652580專利

鉅亨網/鉅亨網新聞中心 2015.06.30 00:00
第七條 第8款1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:垂直通道電晶體陣列及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:104/05/153.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$102,8904.其他應敘明事項:一種垂直通道電晶體陣列,包括多條埋入式位元線、多條位元線接觸窗、多個埋入式字元線與漏電流隔離結構。多個半導體柱構成垂直通道電晶體的主動區。多條埋入式位元線平行設置於半導體基底中,在行方向延伸。多條位元線接觸窗分別設置於埋入式位元線的一側。多個埋入式字元線,平行設置於埋入式位元線上方,在列方向延伸,且隔著閘介電層而連接同一列之半導體柱。漏電流隔離結構設置於埋入式位元線末端部分,以避免相鄰位元線接觸窗之間產生漏電流。

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