此14奈米合作案，延續雙方成功將ARM Artisan® 實體 IP，整合至聯電28奈米高介電金屬閘極（High K/Metal gate）量產製程。
聯電14奈米FinFET製程技術驗證，是聯電FinFET製程啟動其他IP生態系統的第一步，包括基礎IP 矽智財（foundation IP）和ARM處理器實體設計。
ARM實體IP設計事業部總經理Will Abbey表示：「ARM和聯電已在數個技術世代上持續合作，且成果卓越。採用聯電14奈米FinFET製程的Cortex-A系列核心測試晶片正式設計定案，對我們來說十分振奮。ARM與聯電將針對此高階製程技術的研發持續保持緊密合作。」
聯電副總經理王國雍表示：「在聯電準備向客戶提供14奈米FinFET製程之際，建立強大的設計支援基礎以強化14奈米平台的整體效益是至關重要的。ARM是先進製程的IP矽智財全球領導供應商，我們很高興能夠延續先前的成功經驗，將Artisan實體IP以及Cortex處理器解決方案納入聯華電子14奈米製程。」
聯電表示，14奈米FinFET製程已達128mb SRAM產品良率，並預計於今年底接受客戶設計定案(tape-out)。