陸發展DRAM 技術IP關鍵

集邦科技指出，中國工信部電子信息司司長丁文武主導的半導體小組，對中國大陸DRAM（動態隨機存取記憶體）未來發展已有明確方向；將以既有半導體基地、公司為發展基礎，結合具相關經驗的高階幹部，結盟半導體廠發展。

集邦科技認為，能否找到技術合作夥伴、有豐富經驗的團隊與取得IP，將是未來中國大陸DRAM發展成功與否的關鍵。

不同於儲存型快閃記憶體(NAND Flash)，即使品質不好，也有低階產品可使用，DRAM則不容許任何錯誤，集邦科技預估，中國大陸最快3年後才可望達成相關整合，進入市場。