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行動記憶體Q3利潤 估超越標準記憶體

中央社/ 2015.06.06 00:00
(中央社記者張建中新竹6日電)標準型記憶體價格不斷滑落,第3季起生產行動記憶體的獲利將超越標準型記憶體,行動記憶體發展狀況將是左右DRAM廠獲利成長的關鍵。

智慧手機市場逐漸飽和,今年出貨將僅成長約11.6%,不過,軟硬體持續升級,仍將驅動行動記憶體需求大幅成長。

市調機構集邦科技表示,蘋果新一代iPhone直接升級至2GB LPDDR4,其他品牌旗艦機種也將紛紛往3GB或4GB推進,將可帶動今年行動記憶體位元需求成長近4成。

行動記憶體2011年至2020年複合成長率可望達36%,不僅大幅優於標準型記憶體的負成長,也高於伺服器記憶體的24%。

在強勁需求支撐下,行動記憶體上半年價格穩定小跌,反觀標準記憶體價格不斷破底,集邦科技預期,第3季生產行動記憶體的獲利將可超越標準型記憶體。

目前LPDDR4僅應用於高階智慧手機,2016年可望擴及中階機種,2017年初將可成為市場主流,集邦科技表示,LPDDR4轉進速度與先進製程推進速度,將是左右動態隨機存取記憶體(DRAM)廠未來獲利表現的關鍵。

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