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應材技術推進 曝影縮至10奈米

中央商情網/ 2015.04.21 00:00
(中央社記者張建中新竹2015年4月21日電)半導體設備廠應用材料技術再精進,推出的Tetra Z光罩蝕刻系統多重曝影尺寸可縮放至10奈米以下。

應用材料表示,Tetra Z系統運用精密材料工程及電漿反應動力學技術,擴充193奈米微影術的應用。

應用材料指出,Tetra Z系統提供的光罩蝕刻技術,能夠進行10奈米以下4重曝影。

應用材料Tetra Z的光罩蝕刻效能與缺陷控制技術,將可滿足邏輯與記憶體裝置的先進圖案製程技術要求。

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