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力晶:公告本公司取得美國專利局核發US 8921819專利

第七條 第8款1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電阻式記憶體結構及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:104/01/203.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$307,3704.其他應敘明事項:一種電阻式記憶體單元,包含有至少一位元線,沿著第一方向延伸;至少一字元線,設於一基底上,且沿著一第二方向延伸,與該位元線交叉;一硬遮罩層,位於該字元線上,使該字元線與該位元線電性隔離;一第一記憶胞,設於該字元線的一側壁上;以及一第二記憶胞,設於該字元線的另一側壁上。

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