華邦電表示，新推出的W25N系列串列式快閃記憶體產品提供小型8引腳封裝，兼具編碼型快閃記體(NOR Flash)高性能讀取及儲存型快閃記憶體(NAND Flash)快速寫入和擦除特性。
華邦電指出，W25N系列產品單頁寫入時間250微秒，區塊擦除時間2毫秒，分別為傳統NOR Flash的10倍和100倍。
因寫入和擦除操作速度快，華邦電表示，完成操作的總功耗也縮減到原來的1/10和1/100。
華邦電指出，目前1Gb串列式快閃記憶體產品已在客戶端測試中，預計第1季投產；2Gb容量的串列式快閃記憶體預計第2季上市。