聯電過去2年已陸續取得Cypress的65奈米及55奈米嵌入式快閃記憶體授權，今年擴大取得Cypress的40奈米嵌入式快閃記憶體矽智財授權。
聯電表示，Cypress的40奈米嵌入式快閃記憶體製程，較其他嵌入式快閃記憶體技術更具優勢；其他的嵌入式快閃記憶體技術在標準製程外，需要額外加至少12層光罩，Cypress的技術僅需額外加5層光罩。
另外，Cypress的嵌入式快閃記憶體技術，在加入一般製程時，不會影響現有矽智財，同時兼具高良率與高可靠度。
聯電指出，取得Cypress的40奈米嵌入式快閃記憶體矽智財授權後，將擴展嵌入式快閃記憶體解決方案，有助拓展物聯網、穿戴裝置及微控制器(MCU)等應用市場。