力成預計在1月27日召開法人說明會。
展望力成今年第1季業績表現略佳去年第4季。今年第1季力成在標準型記憶體封測表現，較去年第4季小幅成長。
展望今年各產品線，力成在動態隨機存取記憶體(DRAM)、邏輯晶片和快閃記憶體(flash)三大產品線業績比重，大約可維持三足鼎立。
法人預估，力成今年業績和每股獲利較去年成長，今年公司業績目標續創歷史新高紀錄。力成今年邏輯IC封測業績占整體業績比重，有機會較DRAM和快閃記憶體小幅增加。
力成去年12月與美光科技(Micron)簽訂一系列半導體封裝投資合約，力成將在中國大陸西安設廠，主攻標準型動態隨機存取記憶體(DRAM)生產，預估2016年上半年進入量產階段。