聯電申請赴廈門參股投資聯芯12吋晶圓廠，投審會趕在年底前開會審查，在基於協助我國半導體業者運用中國大陸官方政策優惠、及早卡位，爭取中國大陸龐大商機，並在沒有技術外流疑慮、在國內有相對投資並增聘員工前提下，同意聯電赴陸投資。
投審會表示，聯電這次申請以自有資金4.5億美元，暨中國大陸地區投資事業和艦科技（蘇州）自有資金2.6億餘美元，預計104年至106年合計投資7.1億餘美元，間接投資聯芯集成電路製造（廈門）有限公司，經營12吋晶圓廠。
值得注意的是，該投資案為歷年對陸投資第2多，也是近2年最大筆投資案，且是首例策略性赴陸參股投資12吋晶圓廠。
然而，目前我國主要競爭對手三星已赴陸投資最先進技術(12吋廠1X nm製程)，而聯電目前所擁有最佳技術僅為28奈米，這次赴陸投資更僅為40/55奈米，工業局強調，這次聯電赴陸投資，並無技術外流的疑慮，也符合赴大陸併購、參股投資的製程技術須落後該公司在台灣製程技術一個世代的規定。
不過，在投審會召開委員會議前，經濟部日前已先邀集相關單位及專家學者召開關鍵技術小組進行審查，會中聯電承諾，未來在台灣將加碼投資，持續投資建置高階製程產能，預計未來3年平均每年資本支出將投入逾13億美元，將超過此次赴陸投資總金額13.5億美元。
聯電並承諾，將加強研發投入，於南科廠區研發中心開發14奈米與其他利基型產品，同時配合在南科持續擴產，未來3年將新增3000名就業機會，且將逐年增加半導體設備、材料本土採購金額比例。
投審會官員表示，未來會要求聯電每季向投審會及工業局回報投資案執行情況，若未做到上述承諾事項，將不予核准後續投資案。
根據工業局資料顯示，聯芯註冊資本額為20.7億美元，其中聯電5年內將出資13.5億美元，未來聯芯主要營收將來自40/55奈米製程技術，聯電將依規定向聯芯收取技術合作權利金。