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力成明年Q1 估較今年Q4略佳

中央商情網/ 2014.12.03 00:00
(中央社記者鍾榮峰台北2014年12月3日電)記憶體封測廠力成(6239)總經理洪嘉(金俞)表示,明年三大產品線業績各維持1/3比重,預期明年第1季表現,可比今年第4季略佳。

力成與美光科技(Micron)簽訂一系列半導體封裝投資合約,力成將透過第三地於中國大陸西安設立子公司,設立標準型動態隨機存取記憶體(Commodity DRAM)封裝廠。

洪嘉(金俞)表示,明年力成記憶體、邏輯晶片和快閃記憶體(flash)三大產品線業績比重,持續三足鼎立,各維持1/3比重。力成持續布局利基型DRAM和行動記憶體(Mobile DRAM)封測領域。

展望標準型記憶體發展,洪嘉(金俞)認為,需觀察明年和後年英特爾(Intel)布局動向。

在高階邏輯晶片封裝,洪嘉(金俞)表示,力成持續布局高階系統單晶片(SoC)的系統級封裝(SiP)領域,邏輯晶片封裝布局進度持續穩健。

展望今年第4季稼動率,洪嘉(金俞)預期,力成封裝和測試產品稼動率,大約在7成區間。

展望明年第1季,洪嘉(金俞)預期,力成明年第1季表現可比今年第4季略佳。明年第1季標準型記憶體封測表現可,較今年第4季略佳。

力成先前預期,明年整體業績表現,以創下歷年新高為目標。

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