市場傳出，美光攜手力成在中國大陸西安設立記憶體封裝廠進度，已漸趨明朗，傳力成將投資7000萬美元，在西安設立動態隨機存取記憶體(DRAM)封裝產線。
力成表示，無法對市場傳言做出評論。
力成將於10月28日舉辦法說會，屆時法人勢必關注與美光合作進展。
產業人士指出，美光為進一步整合DRAM封測業務，洽商DRAM後段封測夥伴，計畫在中國大陸西安建立標準型DRAM(Commodity DRAM)封裝產線，配合美光原先在西安設立的DRAM測試廠。
法人表示，美光位於西安的測試廠，大約有1000台到2000台的標準型DRAM測試機台，具備區分伺服器用DRAM和一般標準型DRAM的測試能力，可選取出較高獲利、符合標準的伺服器用DRAM產品。目前美光DRAM測試仍以自力完成為主。
觀察美光DRAM封裝業務，法人表示，美光整體DRAM記憶體封裝，其中約40%到50%由美光自主完成，約20%到30%委外由南茂(8150)封裝，約10%到20%由力成封裝。
在NAND Flash封測部分，產業人士表示，美光持續規劃位於新加坡的NAND型快閃記憶體(NAND Flash)封測基地，目前大部分封測自力完成，部分委由南茂、力成和日月光封測。