三星建新廠 DRAM族群臉色難看

三星(Samsung)擴產消息紛雜，上周市場一度傳出三星新廠Line 17擴產計畫轉向，除1萬片產能生產動態隨機存取記憶體(DRAM)，填補製程技術轉進20奈米造成的產能減損，其餘產能將生產14奈米邏輯產品。

不過，市場近期又傳出，三星Line 17廠將有超過5萬片產能投入生產DRAM，另在Line 17廠旁啟動Line 18廠建廠計畫，預計明年中完工裝機，月產能可能超過6萬片規模。

外電報導指出，三星將斥資15.6兆韓元在南韓興建新廠，預計明年上半年動工興建，預計2017年下半年完工。

儘管三星新廠建廠進度較市場傳言慢近 1年，另外，三星新廠也尚未確定生產記憶體或邏輯晶片產品，但三星建新廠的消息已衝擊海力士(Hynix)盤中一度大跌8.17%。

國內DRAM族群也連袂走跌；其中，南亞科(2408)盤中股價一度達新台幣62元，跌2元，跌幅達3.12%。華亞科(3474)盤中股價一度跌停達43.7元，跌3.25元。