傳三星建新廠 DRAM族群挫
中央社/
11 年前
（中央社記者張建中新竹6日電）外電報導，三星電子宣布將斥資15.6兆韓元在南韓建新廠，引發市場對DRAM後市產生疑慮，衝擊DRAM族群走跌。
三星(Samsung)擴產消息紛雜，上周市場一度傳出三星新廠Line 17擴產計畫轉向，除1萬片產能生產動態隨機存取記憶體(DRAM)，填補製程技術轉進20奈米造成的產能減損，其餘產能將生產14奈米邏輯產品。
不過，市場近期又傳出，三星Line 17廠將有超過5萬片產能投入生產DRAM，另在Line 17廠旁啟動Line 18廠建廠計畫，預計明年中完工裝機，月產能可能超過6萬片規模。
外電報導，三星將斥資15.6兆韓元在南韓興建新廠，預計明年上半年動工興建，預計2017年下半年完工。
儘管三星新廠建廠進度較市場傳言慢近1年，，新廠也尚未確定生產記憶體或邏輯晶片產品，但三星建新廠的消息已衝擊海力士(Hynix)盤中一度大跌8.17%。
國內DRAM族群也連袂走跌；其中，南亞科盤中股價一度達新台幣62元，跌2元，跌幅達3.12%。華亞科盤中股價也一度跌停達43.7元，跌3.25元。
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