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力晶:公告本公司取得美國專利局核發US 8741754專利

鉅亨網/鉅亨網新聞中心 2014.09.26 00:00
第七條 第8款1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性記憶體及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/07/073.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$152,7314.其他應敘明事項:本發明提出一種非揮發性記憶體具有穿隧介電層、浮置閘極、控制閘極、閘間介電層、第一摻雜區與第二摻雜區。穿隧介電層設定於基底上。浮置閘極設定於穿隧介電層上,且浮置閘極具有凸出部。控制閘極設定於浮置閘極上方,並覆蓋、環繞凸出部。其中,浮置閘極的凸出部無論從任何方向(例如位元線或字元線方向或位元線及字元線間所夾任何角度的方向)皆被控制閘極完全包覆、環繞在裡面。閘間介電層設定於浮置閘極與控制閘極之間。第一摻雜區與第二摻雜區分別設定於控制閘極二側的基底中。

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