台積電表示，16FinFET製程能夠顯著改善速度與功率，並且降低漏電流，有效克服先進系統單晶片技術微縮時所產生的關鍵障礙。
相較於台積電的28奈米高效能行動運算(28HPM)製程，16FinFET製程的晶片閘密度增加2倍，在相同功耗下速度增快逾40%，或在相同速度下功耗降低逾60%。
台積電總經理暨共同執行長劉德音表示，台積電在FinFET領域的研發已經超過10年，很高興龐大的努力獲得回饋並締造此項成就。相信能發揮此項技術的最大效益，並在專業積體電路服務領域的先進製程上，繼續保持長期領先地位的優良紀錄。
台積電的16FinFET製程早於2013年11月即完成所有可靠性驗證，良率表現優異，並進入試產階段，為台積電與客戶的產品設計定案、試產活動與初期送樣打下良好基礎。
藉由台積電的16FinFET製程，海思半導體得以生產具顯著效能與功耗優勢的全新處理器，以支援高階網通應用產品。
海思半導體同時亦採用台積電經過生產驗證且能整合多元技術晶片的CoWoS®三維積體電路封裝技術，有效整合16奈米邏輯晶片與28奈米輸出、輸入晶片，提供具成本效益的系統解決方案。
海思半導體總裁何庭波表示，針對下一世代無線通訊及路由器，海思領先業界，產出以FinFET製程及ARMv8架構為基礎的32核心ARM Cortex-A57網通處理器，運算速度可達2.6GHz。
何庭波進一步說，效能也較前一代處理器增快3倍，深具競爭優勢，且能支援虛擬化、軟體定義網路（SDN）及網路功能虛擬化（NFV）應用的下一世代基地台、路由器及其他網通設備，同時協助海思達到產品迅速上市的目標。