聯電指出,將以每股500日圓取得合資公司的1000萬股,總金額50億日圓,持股比例約9.3%,將取得合資公司1席董事。
聯電表示,未來授權40奈米低耗電技術予富士通(Fujitsu Semiconductor),將可取得與投資金額相當的授權金,相當聯電這次是以技術入股。
聯電指出,與富士通合資成立的新公司在日本三重縣擁有1座12吋晶圓廠,月產能2.8萬片,主要生產影像感測器及車用電子產品;聯電希望透過這項合資案,擴大日本市場規模。
聯電指出,將以每股500日圓取得合資公司的1000萬股,總金額50億日圓,持股比例約9.3%,將取得合資公司1席董事。
聯電表示,未來授權40奈米低耗電技術予富士通(Fujitsu Semiconductor),將可取得與投資金額相當的授權金,相當聯電這次是以技術入股。
聯電指出,與富士通合資成立的新公司在日本三重縣擁有1座12吋晶圓廠,月產能2.8萬片,主要生產影像感測器及車用電子產品;聯電希望透過這項合資案,擴大日本市場規模。
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