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中微發佈業界首創介電質蝕刻及去光阻一體機Primo iDEA (TM)

美通社/ 2014.07.08 00:00
上海和舊金山2014年7月8日電 /美通社/ -- 中微半導體設備有限公司(簡稱「中微」)今日發佈Primo

iDEA?(「?反應室介電質蝕刻去光阻一體機」)-- 這是業界首次將?反應室介電質蝕刻和去光阻反應室整合在同一個平台上。Primo

iDEA?主要針對2X奈米及更先進的蝕刻製程,運用中微已被業界認可的D-RIE蝕刻技術和Primo平台,避免了因電漿直接接觸晶圓引發的器件損傷(PID),提高了製程的靈活性,?少了生產成本,提高了生產效率並降低了生產空間。

中微介電質蝕刻及去光阻一體機Primo iDEA (TM)

對於2X奈米及更先進蝕刻製程的晶圓來說,它們對表面電荷的累積極其敏感,並且面臨?PID帶來的潛在風險。Primo

iDEA?可將4個等離子體反應台和2台非接觸等離子體去光阻反應器整合在同一台設備中,能?替代原?需要2台等离子体蝕刻機、1台去光阻機、1台濕式清洗機等4?機台所加工的後端過程。這一獨特的整合方法使製程步?得到了最佳化,從而避免了因等離子體接觸引發的的器件損傷。此外,這一方法還大大提高了產量,減少了生產成本,並最大程度上減少了機台的占地面積。Primo

iDEA?同時擁有等離子體蝕刻和非接觸的等離子體源去光阻功能(DSA),是量產較複雜的極小尺寸晶圓中集成多步製程的最佳??。

「Primo

iDEA?目前已有多台進入先進的晶圓生產線,並已證明在避免等離子體接觸器件??的損害上表現優異,同時又?少了所需機台的數量。」中微副總裁兼CCP蝕刻產品事業群總?理麥仕義?,「採用Primo

iDEA?之後,客?能?節省20%的生產成本,並獲得更高的生產效率。對於某一特定的後段製程來說,客?過去需要5道製程在多種機台上完成,現在只需3道製程在一台設備上完成,總體上節省了50%的製程加工時間。」

中微于2004年領先開發了具有獨立自主知識產權的等離子體蝕刻技術。該技術具有甚高?等離子體源和低?偏置等離子體源,能?獨立控制離子密度和能量,並確保晶圓加工高再現性。?合中微具有獨立自主知識產權的離子控制技術,它們能?共同提高晶圓加工的穩定性,並進一步擴大製程窗口。Primo

iDEA?使用的去光阻配套系?採用了性價比較高的?反應台室體設計和非接觸等離子體源。頂置的等離子體源所產生的活性反應物質,能均?地傳送到晶圓表面移除光阻,這一過程中等離子體並不?直接接触晶?表面,這就?少了器件損傷(PID)的風險。

欲了解更多關於Primo iDEA?和中微其他設備的信息,請前往公司網站:www.amec-inc.com

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Primo iDEA?是中微的註?商標。

消息來源 中微半導體設備有限公司

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