第七條　第8款1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性記憶體元件及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/01/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT＄67,2004.其他應敘明事項:一種非揮發性記憶體元件包括基底、閘極堆疊結構、選擇閘、抹除閘、源極區、汲極區、第一介電層與第二介電層。閘極堆疊結構，位於基底上，其由下而上包括穿隧介電層、浮置閘、閘間介電層與控制閘，以及間隙壁，位於控制閘以及閘間介電層之側壁且浮置閘與抹除閘相鄰之一側為具有尖角之包覆輪廓，凸出於間隙壁之縱表面。選擇閘與抹除閘分別位於閘極堆疊結構之第一側與第二側的基底上。源極區位於抹除閘下方的基底中。汲極區位於選擇閘之一側的基底中。第一介電層位於閘極堆疊結構與抹除閘之間以及閘極堆疊結構與源極區之間。第二介電層位於選擇閘與基底之間。