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競逐MRAM 三大陣營火拚

中央社/ 2014.01.05 00:00
(中央社台北5日電)全球半導體業者為了執掌次世代記憶體晶片主導權,競爭逐漸白熱化。

根據日本「日經新聞」(Nikkei)報導,東芝(Toshiba JP-6502)與南韓SK海力士(SK Hynix Inc. KR-000660)最快將於2016年會計年度攜手量產次世代記憶體晶片MRAM(磁阻式隨機存取記憶體),量產時間比美國半導體大廠美光科技(Micron Technology US-MU)計劃的2018年提前約2年時間。

東芝與SK海力士正在研發的MRAM,其特徵是即使關掉電源,數據也不會消失。與目前廣泛使用於個人電腦、智慧手機與其他裝置的DRAM(動態隨機存取記憶體)相比,MRAM資料貯存量是DRAM的10倍,但耗電量卻僅有2/3。

改用MRAM可延長裝置的電池壽命,加快大量數據傳輸速度,例如影音檔案等,並可讓電池與其他零組件實現小型化,將促進穿載式裝置,例如眼鏡型與手錶型電腦的開發。

報導指出,東芝與SK海力士於2011年開始攜手開發MRAM,並計劃於2014年會計年度開始提供樣品。樣品將由位於首爾郊外的SK海力士工廠生產。

如果需求可期,2016會計年度將會在南韓啟動量產,東芝與SK海力士還將討論籌組合資公司,打算投入1000億日圓(9.4億美元)資金,在日本或南韓開闢專門生產線。

目前競逐MRAM研發的可分為三大陣營,除東芝與SK海力士的日韓聯軍外,美光現正與東京威力科創(Tokyo Electron JP-8035)等20家左右的美、日半導體業者展開合作,力爭在2018年實現量產。

記憶體龍頭三星電子公司(Samsung Electronics Co. KR-005930)仍維持自主研發路線,但將積極加強產學合作。(譯者:中央社趙蔚蘭)

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