根據日本「日經新聞」（Nikkei）報導，東芝（Toshiba JP-6502）與南韓SK海力士（SK Hynix Inc. KR-000660）最快將於2016年會計年度攜手量產次世代記憶體晶片MRAM（磁阻式隨機存取記憶體），量產時間比美國半導體大廠美光科技（Micron Technology US-MU）計劃的2018年提前約2年時間。
東芝與SK海力士正在研發的MRAM，其特徵是即使關掉電源，數據也不會消失。與目前廣泛使用於個人電腦、智慧手機與其他裝置的DRAM（動態隨機存取記憶體）相比，MRAM資料貯存量是DRAM的10倍，但耗電量卻僅有2/3。
改用MRAM可延長裝置的電池壽命，加快大量數據傳輸速度，例如影音檔案等，並可讓電池與其他零組件實現小型化，將促進穿載式裝置，例如眼鏡型與手錶型電腦的開發。
報導指出，東芝與SK海力士於2011年開始攜手開發MRAM，並計劃於2014年會計年度開始提供樣品。樣品將由位於首爾郊外的SK海力士工廠生產。
如果需求可期，2016會計年度將會在南韓啟動量產，東芝與SK海力士還將討論籌組合資公司，打算投入1000億日圓（9.4億美元）資金，在日本或南韓開闢專門生產線。
目前競逐MRAM研發的可分為三大陣營，除東芝與SK海力士的日韓聯軍外，美光現正與東京威力科創（Tokyo Electron JP-8035）等20家左右的美、日半導體業者展開合作，力爭在2018年實現量產。
記憶體龍頭三星電子公司（Samsung Electronics Co. KR-005930）仍維持自主研發路線，但將積極加強產學合作。（譯者：中央社趙蔚蘭）