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力晶:公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I415247專利

鉅亨網/鉅亨網新聞中心 2013.12.31 00:00
第七條 第8款1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:具有垂直頻道電晶體的動態隨機存取記憶胞及陣列2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:102/11/113.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$51,2004.其他應敘明事項:一種具有垂直頻道電晶體的動態隨機存取記憶胞,包括半導體柱、汲極層、輔助閘極、控制閘極、源極層、電容器。半導體柱構成垂直頻道電晶體的主動區。汲極層設置於半導體柱底部。輔助閘極隔著第一閘介電層而設置於汲極層附近。控制閘極隔著第二閘介電層而設置於主動區附近。源極層設置於半導體柱頂部。電容器電性連接源極層。

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