第七條　第8款1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:相變化記憶裝置及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:102/12/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT＄27,9004.其他應敘明事項:一種相變化記憶體裝置，包括：一基底，其上設置有一第一介電層；一第一電極，設置於該第一介電層內；一第二介電層，位於該第一介電層上；一加熱電極，設置於該第二介電層內；一相變化材料層，位於該第二介電層上；以及一第二電極，位於該相變化材料層之上，其中該加熱電極具有接觸該第一電極之一第一部以及接觸該相變化材料層之一第二部，該第二部包括金屬矽化物而該第一部不包括金屬矽化物。